[發(fā)明專利]一種用于扇出式圓片級封裝的散熱構件及制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610016506.0
• 申請日: 2016-01-11
• 公開（公告）號: CN105590906B
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發(fā)明（設計）人: 賴忠民;葉丹;王儉辛;曹秀斌
• 申請（專利權）人: 江蘇科技大學
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種用于扇出式圓片級封裝的散熱構件，包括若干芯片(12)和圓形布線層(13)，其特征在于：所述芯片(12)的正面按矩陣式安置在所述布線層(13)的背面，所述芯片(12)的背面和側面以及所述布線層(13)未被所述芯片(12)覆蓋的背面上包裹有塑封層(11)構成扇出式圓片(1)，所述塑封層(11)對應芯片(12)的背面上還通過設有成方形排列的若干盲孔(14)設置有凸出塑封層(11)背面的導熱銅柱(6)；所述盲孔(14)為錐形，且錐形尖端指向芯片；所述盲孔(14)的孔深為所述芯片(12)背面到所述塑封層(11)背面的垂直距離D少100微米，所述盲孔(14)的軸線之間的距離L為大于等于盲孔(14)最大直徑的兩倍；所述導熱銅柱(6)凸出塑封層(11)背面的高度H為大于等于導熱銅柱(6)的直徑；通過以下步驟制造而成：

步驟1、采用支撐圓片(2)并通過鍵合膠(3)將扇出式圓片(1)的正面與支撐圓片(2)的背面進行鍵合；

步驟2、在塑封層(11)對應芯片(12)垂直投影區(qū)域內的背面進行所述盲孔(14)的鉆孔加工；

步驟3、在塑封層(11)的背面和盲孔(14)的內壁采用沉積法形成銅種子層(4)；

步驟4、在銅種子層(4)表面涂光刻膠層(5)；

步驟5、對光刻膠層(5)進行曝光和顯影，形成光刻膠圖形層(51)，其中盲孔(14)對塑封層(11)背面垂直投影形成的圓在光刻膠圖形層(51)對塑封層(11)背面垂直投影形成的圓的內部；

步驟6、在盲孔(14)的銅種子層(4)表面進行電鍍，形成導熱銅柱(6)；

步驟7、采用化學經泡法去除銅種子層殘留層(41)表面的光刻膠圖形層(51)；

步驟8、采用化學腐蝕法去除塑封層(11)背面的銅種子層殘留層(41)；

步驟9、采用化學浸泡法去除鍵合膠(3)，采用機械剝離法去除支撐圓片(2)。

2.一種用于扇出式圓片級封裝的散熱構件的制造方法，其特征在于：具體按照以下步驟進行：

第一步，鍵合支撐圓片：采用支撐圓片(2)并通過鍵合膠(3)將扇出式圓片(1)的正面與支撐圓片(2)的背面進行鍵合；

第二步，扇出式圓片背面鉆孔：在塑封層(11)對應芯片(12)垂直投影區(qū)域內的背面進行盲孔(14)的鉆孔加工；

第三步，扇出式圓片背面沉積銅種子層：在塑封層(11)的背面和盲孔(14)的內壁采用沉積法形成銅種子層(4)；

第四步，銅種子層表面涂光刻膠：在銅種子層(4)表面涂光刻膠層(5)；

第五步，光刻膠層曝光和顯影：對光刻膠層(5)進行曝光和顯影，形成光刻膠圖形層(51)，其中盲孔(14)對塑封層(11)背面垂直投影形成的圓在光刻膠圖形層(51)對塑封層(11)背面垂直投影形成的圓的內部；

第六步，扇出式圓片背面形成導熱銅柱：在盲孔(14)的銅種子層(4)表面進行電鍍，形成導熱銅柱(6)；

第七步，扇出式圓片背面去除光刻膠：采用化學經泡法去除銅種子層殘留層(41)表面的光刻膠圖形層(51)；

第八步，扇出式圓片背面去除銅種子層：采用化學腐蝕法去除塑封層(11)背面的銅種子層殘留層(41)；

第九步，去除支撐圓片：采用化學浸泡法去除鍵合膠(3)，采用機械剝離法去除支撐圓片(2)；

其中，第一步所述的支撐圓片(2)為硅圓片、玻璃圓片或者陶瓷圓片；

第二步所述的鉆孔加工的方法為激光鉆孔或者機械鉆孔；

第三步所述的沉積法為物理氣相沉積、化學氣相沉積和化學液相沉積中的任一種。