[發明專利]分柵快閃存儲器的制造方法

有效

• 申請號: 201610016144.5
• 申請日: 2016-01-11
• 公開（公告）號: CN105514046B
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發明（設計）人: 徐濤;陳宏;王卉;曹子貴
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種分柵快閃存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底具有第一表面和第二表面；

在所述襯底的第一表面形成多個分立的偽柵極結構；

在相鄰偽柵極結構之間及其上形成第一源極材料層，同時在所述襯底的第二表面形成第二源極材料層；

對第一源極材料層進行平坦化，形成源極線；

形成源極線之后，去除所述第二源極材料層；

形成字線。

2.如權利要求1所述的分柵快閃存儲器的制造方法，其特征在于，形成所述第一源極材料層和第二源極材料層的材料包括多晶硅。

3.如權利要求2所述的分柵快閃存儲器的制造方法，其特征在于，形成所述第一源極材料層和第二源極材料層的工藝為低壓化學氣相沉積工藝，工藝參數包括溫度為400攝氏度至700攝氏度，壓強為0.2托至0.6托，反應氣體為SiH₄和PH₃，SiH₄的流量為1標準升/分鐘至3標準升/分鐘，PH₃的流量為1標準毫升/分鐘至20標準毫升/分鐘。

4.如權利要求3所述的分柵快閃存儲器的制造方法，其特征在于，形成所述第一源極材料層的厚度為1600埃至2300埃。

5.如權利要求1所述的分柵快閃存儲器的制造方法，其特征在于，所述平坦化工藝包括化學機械研磨。

6.如權利要求1所述的分柵快閃存儲器的制造方法，其特征在于，形成所述分立的偽柵極結構的方法包括：

在襯底的第一表面依次形成第一氧化層、浮柵層和偽柵層；

刻蝕所述偽柵層，在浮柵層上形成分立的偽柵極，偽柵極所在的區域為字線區，相鄰偽柵極之間的區域形成第一溝槽，第一溝槽底部暴露出部分浮柵層；

在所述第一溝槽的側壁形成第一側墻；

以第一側墻為掩模，刻蝕所述浮柵層和第一氧化層至襯底的第一表面，形成分立的偽柵極結構，所述偽柵極結構包括第一氧化層、浮柵層、偽柵極和第一側墻。

7.如權利要求6所述的分柵快閃存儲器的制造方法，其特征在于，在形成分立的偽柵極結構之后，形成第一源極材料層之前，還包括：

在偽柵極結構的側壁形成第二側墻，所述第二側墻覆蓋第一氧化層和浮柵層的側壁、以及第一側墻的部分側壁；

以第一側墻和第二側墻為掩模，對相鄰偽柵極結構之間的襯底進行離子注入，形成源區。

8.如權利要求6所述的分柵快閃存儲器的制造方法，其特征在于，在形成所述分立的偽柵極之后，在形成所述第一側墻之前，還包括采用各向同性刻蝕的方法刻蝕第一溝槽底部，以去除部分的浮柵層，在所述浮柵層上形成弧形表面。

9.如權利要求6所述的分柵快閃存儲器的制造方法，其特征在于，形成字線的方法包括：

去除偽柵極、以及偽柵極下面的浮柵層和第一氧化層，形成浮柵和耦合氧化層；

形成第二氧化層，覆蓋字線區的襯底表面、浮柵、耦合氧化層和第一側墻的側壁、以及源極線表面；

在字線區的第二氧化層上形成字線。