[發(fā)明專利]去除含有顆粒缺陷的光刻抗反射層的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610016127.1
• 申請(qǐng)日: 2016-01-11
• 公開（公告）號(hào): CN105551940A
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮俊偉;王鐵渠;胡海波;崔永鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種去除含有顆粒缺陷的光刻抗反射層的方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括多晶硅層、以及形成于多晶硅層上的光刻抗反射 層，所述光刻抗反射層內(nèi)形成有顆粒缺陷；

采用第一濕法刻蝕工藝對(duì)所述基底進(jìn)行刻蝕；

采用第二濕法刻蝕工藝對(duì)所述基底進(jìn)行刻蝕。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述光刻抗反射層的方法包 括在多晶硅層上依次形成氮氧化硅層及二氧化硅層。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述氮氧化硅層及二氧化硅 層的工藝包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積；形成所述氮氧化硅層的厚度范 圍是250埃至350埃，形成所述二氧化硅層的厚度范圍是40埃至60埃。

4.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述顆粒缺陷的成份包括二 氧化硅。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一濕法刻蝕工藝包括：

使用氫氟酸的水溶液進(jìn)行刻蝕；以及

使用磷酸的水溶液進(jìn)行刻蝕。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述氫氟酸的水溶液中氫氟酸與 水的體積比范圍為1:50至1:2000，氫氟酸的水溶液的溫度范圍為22攝氏 度至24攝氏度；刻蝕時(shí)間為50秒至80秒。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述磷酸的水溶液的濃度范圍為 磷酸的體積百分?jǐn)?shù)為80％至90％，磷酸的水溶液的溫度范圍為155攝氏度 165攝氏度；刻蝕時(shí)間為800秒至1200秒。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二濕法刻蝕工藝包括：

使用氨水與雙氧水的混合溶液進(jìn)行刻蝕；以及

使用氫氟酸的水溶液進(jìn)行刻蝕。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，使用氨水與雙氧水的混合溶液進(jìn) 行刻蝕的方法包括：采用氨水與雙氧水的混合溶液在超聲波的作用下浸泡 所述多晶硅層，所述超聲波的頻率為900KHz至1100KHz，所述氨水與雙 氧水的混合溶液中氫氧化銨、過氧化氫與水的體積比為1:2:40，溫度范圍 為22攝氏度至24攝氏度；浸泡時(shí)間為500秒至700秒。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述氫氟酸的水溶液中氫氟酸與 水的體積比為1:100，溫度為22攝氏度至24攝氏度；刻蝕時(shí)間為16秒至 24秒。