[發(fā)明專利]一種SOI硅片的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610016120.X
• 申請(qǐng)日: 2016-01-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106960811A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李捷;柳清超;劉洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 沈陽(yáng)硅基科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762
• 代理公司: 沈陽(yáng)科苑專利商標(biāo)代理有限公司21002
• 代理人: 許宗富,周秀梅

1.一種SOI硅片的制備方法，其特征在于：該方法是針對(duì)已進(jìn)行離子注入的鍵合硅片，對(duì)其采用超低溫剝離技術(shù)進(jìn)行處理，從而獲得高質(zhì)量的SOI硅片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI硅片的制備方法，其特征在于：該方法具體包括如下步驟：

(1)將注入氫離子的鍵合硅片裝入冷阱中；

(2)鍵合硅片在-100℃～-500℃條件下進(jìn)行30～600秒的超低溫處理；

(3)將超低溫處理后的鍵合硅片轉(zhuǎn)移到常溫反應(yīng)室，通入溫度為20～100℃的氮?dú)猓?0～300秒后硅片剝離開(kāi)，清洗后獲得SOI硅片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的SOI硅片的制備方法，其特征在于：所述注入氫離子的鍵合硅片是指利用智能剝離技術(shù)獲得的鍵合硅片。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SOI硅片的制備方法，其特征在于：步驟(3)中，所述清洗過(guò)程為依次進(jìn)行的SC1、SC2清洗。