[發(fā)明專利]一種LED熒光粉膠涂覆的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610015901.7 | 申請日： | 2016-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN105449083B | 公開（公告）日： | 2017-11-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 羅小兵;余興建;劉發(fā)龍;舒?zhèn)コ?/a>;謝斌;馬預(yù)譜 | 申請（專利權(quán)）人： | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01L33/50 | 分類號： | H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 華中科技大學(xué)專利中心42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 led 熒光粉 膠涂覆 方法 | ||
1.一種熒光粉膠涂覆方法，其特征在于，先在芯片上表面涂覆熒光粉膠、再在芯片側(cè)面涂覆熒光粉膠，分為兩步控制涂膠過程，能獲得中間厚兩側(cè)薄的熒光粉層厚度,其具體包括如下步驟：
S1：將LED芯片貼裝在封裝基板上，并將LED芯片與封裝基板之間形成連通的電路后，將完成芯片貼裝和電路連接的LED模塊置于溫度為100℃～180℃的加熱板上；
S2：待所述LED模塊溫度穩(wěn)定后，將設(shè)定量的熒光粉膠涂覆在芯片上表面，靜止一定時間直到所述設(shè)定量的熒光粉膠在所述芯片上表面上形成球缺狀形貌；
S3：從加熱基板上取下所述LED模塊，在芯片側(cè)表面涂覆設(shè)定量的熒光粉膠；
S4：待熒光粉膠形貌穩(wěn)定后，執(zhí)行固化工藝，獲得預(yù)定的熒光粉膠形貌。
2.如權(quán)利要求1所述的熒光粉膠涂覆方法，其特征在于，所述芯片為矩形芯片或者圓形芯片，
圓形芯片厚度為0.01毫米～1毫米，圓形芯片直徑D為0.1毫米～3毫米，
矩形芯片厚度為0.01毫米～1毫米，矩形芯片長度L和寬度W均為0.1毫米～3毫米。
3.如權(quán)利要求2所述的熒光粉膠涂覆方法，其特征在于，
對于圓形芯片，在芯片上表面涂覆熒光粉膠體積與圓形芯片上表面面積的比值為D/4～D/2時，所述LED模塊的加熱溫度為100℃～120℃；
對于圓形芯片，在芯片上表面涂覆熒光粉膠體積與圓形芯片上表面面積的比值為D/2～D，所述LED模塊的加熱溫度為120℃～150℃；
對于圓形芯片，在芯片上表面涂覆熒光粉膠體積與圓形芯片上表面面積的比值為D～3D，所述LED模塊的加熱溫度為150℃～180℃。
4.如權(quán)利要求2所述的熒光粉膠涂覆方法，其特征在于，
對于矩形芯片，在芯片上表面涂覆熒光粉膠體積與矩形芯片上表面的面積的比值為(L+W)/8～(L+W)/4，所述LED模塊的加熱溫度為100℃～120℃；
對于矩形芯片，在芯片上表面涂覆熒光粉膠體積與矩形芯片上表面面積的比值為(L+W)/4～(L+W)/2，所述LED模塊的加熱溫度為120℃～150℃；
對于矩形芯片，在芯片上表面涂覆熒光粉膠體積與矩形芯片上表面面積的比值為(L+W)/2～3(L+W)/2，所述LED模塊的加熱溫度為150℃～180℃。
5.如權(quán)利要求1-4之一所述的熒光粉膠涂覆方法，其特征在于，芯片側(cè)面涂覆的熒光粉膠濃度小于芯片上表面涂覆的熒光粉膠濃度。
6.如權(quán)利要求5所述的熒光粉膠涂覆方法，其特征在于，所述熒光粉膠中的熒光粉包括YAG熒光粉、TAG熒光粉的一種或者多種。
7.如權(quán)利要求6所述的熒光粉膠涂覆方法，其特征在于，所述熒光粉膠中包含的熒光粉的濃度為0.01克/毫升～5克/毫升。
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