[發(fā)明專利]帶nF級(jí)電容負(fù)載的啟動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610015808.6
• 申請(qǐng)日: 2016-01-11
• 公開（公告）號(hào): CN105490515B
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙亞妮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第十研究所
• 主分類號(hào): H02M1/36
• 分類號(hào): H02M1/36;H02M1/34
• 代理公司: 成飛(集團(tuán))公司專利中心51121
• 代理人: 郭純武

1.一種帶nF級(jí)電容負(fù)載的模擬電源芯片啟動(dòng)電路，包括：功率管、帶nF級(jí)電容負(fù)載、比較器、二極管、電流源、參考電壓源V_REF和輸入電壓源1，輸入電壓源2，其特征在于：比較器輸入正端接二極管D1的正端，輸入負(fù)端接參考電壓源V_REF，輸出端V_ENCP電連接電荷泵，電荷泵輸出接功率管的柵極；電流源從輸入電壓源1抽取電流，并經(jīng)二極管D1后連接到功率管的柵極；功率管的漏極電連接輸入電壓源2，源極接輸出電壓V_OUT，帶nF級(jí)電容負(fù)載連接輸出電壓V_OUT到地；當(dāng)比較器輸出端電壓V_ENCP為高時(shí)，電荷泵工作，當(dāng)V_ENCP為低時(shí)電荷泵不工作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶nF級(jí)電容負(fù)載的模擬電源芯片啟動(dòng)電路，其特征在于，所述的電流源值為1uA。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶nF級(jí)電容負(fù)載的模擬電源芯片啟動(dòng)電路，其特征在于，所述的電流源由PMOS晶體管構(gòu)成的共源共柵電流鏡電路實(shí)現(xiàn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶nF級(jí)電容負(fù)載的模擬電源芯片啟動(dòng)電路，其特征在于，所述的參考電壓源比輸入電壓源1低0.5V。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶nF級(jí)電容負(fù)載的模擬電源芯片啟動(dòng)電路，其特征在于，帶nF級(jí)電容負(fù)載的模擬電源芯片啟動(dòng)電路的啟動(dòng)過程分兩個(gè)階段完成，第一階段，比較器正端輸入電壓V1<V_REF時(shí)，電荷泵不工作，功率管MOS的柵極電壓V_GATE由一個(gè)電流源通過二極管D1對(duì)其充電，V_GATE緩慢上升，V_OUT跟隨V_GATE線性上升，V_OUT比V_GATE小一個(gè)MOS管閾值電壓，V_OUT上升到4V；第二階段，當(dāng)V1>V_REF時(shí)，比較器輸出高電平信號(hào)V_ENCP，電荷泵電路開始工作，此時(shí)V_GATE快速上升到10V，V_OUT值快速從4V上升到5V，二極管D1工作在截止?fàn)顟B(tài)。