[發明專利]一種氧化鋅基透明電極結構GaN基LED芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 201610015568.X
• 申請日: 2016-01-11
• 公開（公告）號: CN105720150A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發明（設計）人: 裴艷麗;王鋼;林家勇
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/42;H01L33/00
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 陳衛

1.一種氧化鋅基透明電極結構GaN基LED芯片，其特征在于，包括藍寶石襯底、緩沖層、n型氮化鎵層,多層量子阱活性發光層、p型GaN層、形成于p型GaN層之上的重摻接觸層，形成于重摻接觸層之上的氧化鋅基透明電極、形成于所述透明電極之上的p電極、形成于n型GaN層之上的n電極。

2.根據權利要求1所述的一種氧化鋅基透明電極結構GaN基LED芯片，其特征在于：所述的氧化鋅基透明電極為采用MOCVD方法低溫低成本外延生長的高透低阻透明導電薄膜，其為c軸擇優取向的閃鋅礦結構多晶薄膜，厚度為100-300nm；與p型GaN層之間形成晶格匹配度高的類外延接觸界面。

3.根據權利要求2所述的一種氧化鋅基透明電極結構GaN基LED芯片，其特征在于：所述的氧化鋅基透明導電薄膜的摻雜源為鋁、鎵、或者銦中的至少一種，摻雜原子與鋅的原子比為1%-10%。

4.根據權利要求2所述的一種氧化鋅基透明電極結構GaN基LED芯片，其特征在于：所述的氧化鋅基透明電極的MOCVD外延生長溫度在300-450度。

5.根據權利要求4所述的一種氧化鋅基透明電極結構GaN基LED芯片，其特征在于：所述的氧化鋅基透明電極的MOCVD外延生長采用廉價的去離子水作為氧源。

6.根據權利要求1至5任一所述的一種氧化鋅基透明電極結構GaN基LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1.GaN基LED外延片的表面進行酸堿化學清洗，有效地清除表面會導致材料生長缺陷的不潔物質；

S2.以純度為99.995%的二乙基鋅為鋅源，去離子水為氧源，三甲基鋁、三甲基銦、三乙基鎵至少一種為摻雜源，利用MOCVD技術，在GaN基LED外延片上外延生長氧化鋅基透明導電薄膜。

7.根據權利要求6所述的一種氧化鋅基透明電極結構GaN基LED芯片的制作方法，其特征在于：所述的重摻接觸層為n+-InGaN其厚度為2-10nm。