[發明專利]一種方形四棱錐底式DAST晶體自發成核生長裝置

有效

• 申請號: 201610015398.5
• 申請日: 2016-01-11
• 公開（公告）號: CN105648519B
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 鐘德高;滕冰;孔偉金;姜學軍;曹麗鳳;由飛
• 申請（專利權）人: 青島大學
• 主分類號: C30B7/08
• 分類號: C30B7/08;C30B29/54
• 代理公司: 青島高曉專利事務所(普通合伙)37104
• 代理人: 黃曉敏,于正河

1.一種方形四棱錐底式DAST晶體自發成核生長裝置，其特征在于主體結構包括方形玻璃生長缸、外翻沿玻璃磨砂口、方形磨砂玻璃蓋、DAST生長溶液、聚四氟乙烯四棱錐、V型直長槽、DAST晶體、水浴缸、水浴、熱電偶、溫控表和紅外加熱燈；盛有DAST生長溶液的方形玻璃生長缸放置在水浴中，水浴盛放在水浴缸內；方形玻璃生長缸的頂端為外翻沿玻璃磨砂口，外翻沿玻璃磨砂口上蓋有方形磨砂玻璃蓋，外翻沿玻璃磨砂口和方形磨砂玻璃蓋用真空脂密封方形玻璃生長缸；方形玻璃生長缸的底部放置有聚四氟乙烯四棱錐，聚四氟乙烯四棱錐的四個錐面上開有相互平行的V型直長槽，V型直長槽的深度和表面寬度均為1毫米，V型直長槽的數量根據要生長的DAST晶體個數確定，V型直長槽均與聚四氟乙烯四棱錐的底邊平行，聚四氟乙烯四棱錐的四個錐面均與方形玻璃生長缸的平面呈35°角放置；水浴中豎向放置有熱電偶，熱電偶與溫控表連接，溫控表分別與水浴缸兩側的紅外加熱燈連接，水浴通過與紅外加熱燈和溫控表控制DAST生長溶液的溫度。

2.根據權利要求1所述方形四棱錐底式DAST晶體自發成核生長裝置，其特征在于采用該裝置實現DAST晶體成核生長時，先用經重結晶的高純DAST生長原料和甲醇按照重量比為3.5:100的比例配置DAST生長溶液400毫升，對DAST生長溶液進行過濾過熱處理后，將DAST生長溶液的溫度降至飽和點溫度以下1℃，然后以0.1℃/d緩慢降溫直至出現自發成核的晶體，然后停止降溫，根據所出現的晶核數量調整設定降溫程序，隨著晶核的長大，晶核在在自身重力的作用下滑落到V型直長槽中直立生長，得到外形完整的DAST晶體。