[發明專利]半導體器件和用于制造半導體器件的方法有效
| 申請號： | 201610015092.X | 申請日： | 2011-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN105529392B | 公開（公告）日： | 2019-10-18 |
| 發明（設計）人： | 邁克爾·克魯帕;西蒙·耶雷比奇 | 申請（專利權）人： | 歐司朗光電半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/56 | 分類號： | H01L33/56;H01L33/54;H01L33/50;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;張春水 |
| 地址： | 德國雷*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 用于 制造 方法 | ||
1.半導體器件(1)，所述半導體器件具有光電子的半導體芯片(2)和設置在所述半導體芯片的輻射穿透面(20)上的光學元件(3)，其中
-所述光學元件以高折射率的聚合物材料為基礎，其中所述聚合物材料具有至少為1.52的折射率；
-所述光學元件在橫向方向上最多延伸到所述半導體芯片的側面(201)；所述半導體器件具有第一接觸部(51)和第二接觸部(52)；
-所述光學元件直接鄰接于所述半導體芯片；
-所述半導體芯片經由連接導線(6)導電地與所述第二接觸部連接；以及
-所述光學元件覆蓋所述連接導線的一部分。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中所述光學元件包含硅樹脂、環氧化物或雜化材料。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中用于提高折射率的納米微粒被嵌入到所述高折射率的聚合物材料中。
4.根據權利要求1至3之一所述的半導體器件，
其中在所述半導體器件的俯視圖中，所述光學元件在背離所述半導體芯片的一側凸形地彎曲。
5.根據權利要求1至3之一所述的半導體器件，
其中發光轉換材料(32)被嵌入到所述光學元件中。
6.根據權利要求1至3之一所述的半導體器件，其中所述連接導線是接合線。
7.根據權利要求1至3之一所述的半導體器件，其中所述連接導線至少局部地在所述光學元件(3)的外部延伸。
8.根據權利要求1至3之一所述的半導體器件，其中所述半導體器件具有包套(4)，所述包套封裝所述半導體芯片和所述連接導線。
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