[發明專利]一種基于單晶圓的硅帽加蓋方法

有效

• 申請號: 201610015034.7
• 申請日: 2016-01-11
• 公開（公告）號: CN105513974B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 張華
• 申請（專利權）人: 蘇州工業園區納米產業技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/52;H01L21/60
• 代理公司: 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257
• 代理人: 李陽

1.一種基于單晶圓的硅帽加蓋方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)在圓片上設計出芯片部分、硅帽封裝部分和切割道區域，得到間隔放置的芯片區和硅帽區；

(2)將硅帽區的加工工藝與芯片區的加工工藝進行簡單集成，在完成芯片區的制作過程中一并完成硅帽區的制作；

(3)制作一定厚度的柔性連接區域跨接芯片區和硅帽區；

(4)在芯片區和硅帽區分別制備上金屬鍵合區；

(5)在芯片區或硅帽區上制備PAD區域作為電性連接點；

(6)劃開硅帽區與芯片區，由于柔性連接區域的存在，每個芯片均配對一個硅帽形成一對芯片組，該對芯片組與其它芯片組之間沒有柔性連接區域存在，從而分成一個個獨立的芯片小組；

(7)利用固定手段對每一個芯片小組芯片區部分進行固定，再利用折彎工具，將硅帽區向芯片區做折彎扣下動作，使芯片區和硅帽區上的鍵合區域互相接觸，從而完成芯片硅帽加蓋。

2.根據權利要求1所述的一種基于單晶圓的硅帽加蓋方法，其特征在于：步驟(1)中所述芯片區和硅帽區間隔放置的方式為左右放置或上下放置。

3.根據權利要求2所述的一種基于單晶圓的硅帽加蓋方法，其特征在于：步驟(3)中所述柔性連接區域采用富有延展性的金屬制作或采用固化的有機聚合物制作，所述柔性連接區域的制作采用電鍍、旋涂固化、噴涂方法。

4.根據權利要求3所述的一種基于單晶圓的硅帽加蓋方法，其特征在于：步驟(3)中常規厚度的圓片所對應的柔性連接區域的厚度為5-10um，減薄處理的圓片所對應的柔性連接區域的厚度為2-5um。

5.根據權利要求4所述的一種基于單晶圓的硅帽加蓋方法，其特征在于：步驟(4)中所述的金屬鍵合區采用金金鍵合、金錫鍵合、鋁鍺鍵合金屬氣密性鍵合，或采用BCB有機鍵合材料。

6.根據權利要求5所述的一種基于單晶圓的硅帽加蓋方法，其特征在于：步驟(6)中所述劃開硅帽區與芯片區的方式為通過激光劃片或刀片劃開。

7.根據權利要求6所述的一種基于單晶圓的硅帽加蓋方法，其特征在于：步驟(7)中所述固定手段為真空或銀漿固定。