[發(fā)明專利]一種不同漲落源對(duì)器件電學(xué)特性影響幅度的提取方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610014931.6
• 申請(qǐng)日: 2016-01-11
• 公開（公告）號(hào): CN105652175B
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王潤(rùn)聲;蔣曉波;黃如
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 北京萬(wàn)象新悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11360
• 代理人: 賈曉玲

1.一種不同漲落源對(duì)器件電學(xué)特性影響幅度的提取方法，其特征在于，包括：

1)測(cè)量器件的轉(zhuǎn)移曲線I_d-V_g，從曲線上提取得到器件的閾值電壓V_th和亞閾擺幅SS；

2)計(jì)算V_th和SS的方差σ²(V_th)、σ²(SS)，以及V_th和SS的協(xié)方差Σ；

3)由公式得到LER造成的閾值電壓漲落幅度σ(δV_th,LER)，其中，k為常數(shù)，由公式計(jì)算得到系數(shù)k的值；

4)由公式得到金屬功函數(shù)漲落WFV造成的閾值電壓漲落幅度σ(δV_th,WFV)。

2.如權(quán)利要求1所述的不同漲落源對(duì)器件電學(xué)特性影響幅度的提取方法，其特征在于，針對(duì)SOI襯底的雙柵型鰭型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用TCAD器件仿真得到的I_d-V_g曲線來(lái)代替真實(shí)測(cè)量得到I_d-V_g曲線。