[發明專利]光尋址電位感測組件有效
| 申請號： | 201610014710.9 | 申請日： | 2016-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN106896144B | 公開（公告）日： | 2020-02-21 |
| 發明（設計）人： | 賴朝松;楊家銘;陳軍暉;陳琮誠 | 申請（專利權）人： | 長庚大學 |
| 主分類號： | G01N27/26 | 分類號： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 深圳市舜立知識產權代理事務所(普通合伙) 44335 | 代理人： | 侯藝 |
| 地址： | 中國臺灣桃園*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 尋址 電位 組件 | ||
1.一種光尋址電位感測組件，其特征在于，包含:
一導電基板，為沉積于玻璃上的氧化銦錫(ITO)；
一金屬氧化半導體層，形成于該導電基板上，該金屬氧化半導體層材料為一氧化銦鎵鋅(IGZO)，該氧化銦鎵鋅(IGZO)原子比例為In:Ga:Zn:O＝1:1:1:4的99.9％純原子；以及
一感測層，形成于該金屬氧化半導體層上；
其中，該感測層為氧化鈮(NbOx)；
該金屬氧化半導體層的厚度為350納米；
該感測層的厚度為45納米。
2.一種光尋址電位傳感器，包含如權利要求1所述的光尋址電位感測組件，其特征在于，該光尋址電位感測組件與一作用電極連接；
一感測區域，以一封裝材料圍繞而成，設置于該感測層上；
一參考電極，設置于該感測區域中；
一發光模塊，用以提供光源照射于該光尋址電位感測組件的下表面，包含一發光組件、一聚焦組件及一反射組件，該聚焦組件設置于該發光組件與該反射組件之間；以及
一處理模塊，該處理模塊分別與該發光組件、該反射組件、該作用電極以及該參考電極連接。
3.如權利要求2所述的光尋址電位傳感器，其特征在于，該發光組件為發光二極管(LED)、有機發光二極管(OLED)、雷射二極管(LD)或激發光組件(EL)。
4.如權利要求2所述的光尋址電位傳感器，其特征在于，該封裝材料為環氧樹脂、硅氧烷樹脂、聚二甲基硅氧烷或聚碳酸酯。
5.如權利要求2所述的光尋址電位傳感器，其特征在于，該處理模塊為現場可編輯邏輯門陣列平臺(FPGA platform)，包含一控制器，與該反射組件連接；以及一函數產生器，與該發光組件連接。
6.如權利要求2所述的光尋址電位傳感器，其特征在于，該感測區域用以檢測一受測溶液的一離子或一生物物質的濃度。
7.如權利要求6所述的光尋址電位傳感器，其特征在于，該生物物質為蛋白質、脂質、糖、抗原、抗體、核糖核酸(RNA)或脫氧核糖 核酸(DNA)。
8.如權利要求6所述的光尋址電位傳感器，其特征在于，該離子為H+ 、OH- 、K+ 、Na+ 、Ca2+ 或Cl- 。
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