[發明專利]用于D類功放芯片的上電POP聲抑制電路

有效

• 申請號: 201610013438.2
• 申請日: 2016-01-08
• 公開（公告）號: CN105450182B
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 姚遠;黃武康;代軍;楊志飛;胡建鵬
• 申請（專利權）人: 嘉興禾潤電子科技有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F3/217
• 代理公司: 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220
• 代理人: 鄭立

1.一種用于D類功放芯片的上電POP聲抑制電路，所述D類功放芯片包括前置放大器、聯接到所述前置放大器的正相輸入端的第一電容和聯接到所述前置放大器的反相輸入端的第二電容，其特征在于，用于D類功放芯片的上電POP聲抑制電路包括連接在所述前置放大器的正相輸入端和所述第一電容之間的第一電路支路以及連接在所述前置放大器的反相輸入端和所述第二電容之間的第二電路支路；所述第一電路支路和所述第二電路支路彼此對稱；

所述第一電路支路與電源電壓相連，包括連接在所述前置放大器的正相輸入端和所述第一電容之間的第一開關管，所述第一開關管接受來自外界的啟動信號以控制所述前置放大器的正相輸入端和所述第一電容之間的導通與否；所述第一電路支路還接受來自外界的控制信號以在所述控制信號的控制下將所述第一電容的端電壓與所述前置放大器的共模電壓進行比較，以及在獲得的比較結果為所述第一電容的端電壓低于所述共模電壓時使所述電源電壓對所述第一電容充電，并在；

所述第二電路支路與所述電源電壓相連，包括連接在所述前置放大器的反相輸入端和所述第二電容之間的第二開關管，所述第二開關管接受所述啟動信號以控制所述前置放大器的反相輸入端和所述第二電容之間的導通與否；所述第二電路支路還接受所述控制信號以在所述控制信號的控制下將所述第二電容的端電壓與所述前置放大器的所述共模電壓進行比較，以及在獲得的比較結果為所述第二電容的端電壓低于所述共模電壓時使所述電源電壓對所述第二電容充電；

所述第一開關管為第一NMOS管，所述第一NMOS管的源極連接到所述前置放大器的正相輸入端，漏極連接到所述第一電容的一個極板；所述第二開關管為第二NMOS管，所述第二NMOS管的源極連接到所述前置放大器的反相輸入端，漏極連接到所述第二電容的一個極板；所述啟動信號作用在所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的柵極上；

所述第一電容的端電壓為所述第一電容的所述極板上的電壓，所述第二電容的端電壓為所述第二電容的所述極板上的電壓；

所述控制信號為時鐘信號；當所述第一、第二電路支路接受到所述時鐘信號是高電平時，將所述第一、第二電容的端電壓與所述前置放大器的共模電壓進行比較；當所述第一、第二電路支路接受到所述時鐘信號是低電平且之前獲得的比較結果為所述第一、第二電容的端電壓低于所述共模電壓時，使所述電源電壓對所述第一、第二電容充電。

2.如權利要求1所述的用于D類功放芯片的上電POP聲抑制電路，其中所述第一電路支路還包括第一PMOS管，所述第一PMOS管的源極連接到所述電源電壓，漏極連接到所述第一電容的所述極板，通過所述第一PMOS管的通斷控制所述電源電壓對所述第一電容的充電與否；所述第二電路支路還包括第二PMOS管，所述第二PMOS管的源極連接到所述電源電壓，和所述第二電容之間以控制所述電源電壓對所述第二電容的充電與否。

3.如權利要求2所述的用于D類功放芯片的上電POP聲抑制電路，其中所述第一電路支路還包括第一比較器和第三NMOS管，所述共模電壓輸入所述第一比較器的反相輸入端，所述第三NMOS管連接在所述第一電容和所述第一比較器的正相輸入端之間以控制兩者之間的導通與否；所述第二電路支路還包括第二比較器和第四NMOS管，所述共模電壓輸入所述第二比較器的反相輸入端，所述第四NMOS管連接在所述第二電容和所述第二比較器的正相輸入端之間以控制兩者之間的導通與否。