[發(fā)明專利]基于固源化學(xué)氣相沉積法生長單晶黑磷的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610013415.1 | 申請日： | 2016-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN105603517A | 公開（公告）日： | 2016-05-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳長鑫 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號： | C30B29/02 | 分類號： | C30B29/02;C30B25/00 |
| 代理公司： | 上海交達(dá)專利事務(wù)所 31201 | 代理人： | 王毓理;王錫麟 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 化學(xué) 沉積 生長 黑磷 方法 | ||
1.一種基于固源化學(xué)氣相沉積法生長單晶黑磷的方法，其特征在于，通過在真空條件下 將紅磷、金屬錫和四碘化錫置于密封腔的一端作為高溫區(qū)，并預(yù)留密封腔的另一端作為低溫區(qū)； 然后分別加熱高溫區(qū)和低溫區(qū)進(jìn)行反應(yīng)，并采用梯度方式進(jìn)行降溫，在低溫區(qū)即得單晶黑磷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于固源化學(xué)氣相沉積法生長單晶黑磷的方法，其特征是，所 述的紅磷、金屬錫和四碘化錫的重量份數(shù)比例為10～100:1～10:1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于固源化學(xué)氣相沉積法生長單晶黑磷的方法，其特征是，所 述的高溫區(qū)和低溫區(qū)獨立升溫、同步降溫。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于固源化學(xué)氣相沉積法生長單晶黑磷的方法，其特征是，所 述的梯度降溫方式中降溫階段為5～10min內(nèi)降溫10℃，保溫階段時間為0.5～2h。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于固源化學(xué)氣相沉積法生長單晶黑磷的方法，其特征是，所 述的高溫區(qū)和低溫區(qū)的溫度差為1～200℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于固源化學(xué)氣相沉積法生長單晶黑磷的方法，其特征是，所 述的加熱其最高溫度為450～1000℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于固源化學(xué)氣相沉積法生長單晶黑磷的方法，其特征是，所 述的生長時間為8～160h。
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