[發(fā)明專利]由半導(dǎo)體與含導(dǎo)電區(qū)域的絕緣體構(gòu)成的半導(dǎo)體器件耐壓區(qū)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610013035.8
• 申請日: 2016-01-11
• 公開（公告）號(hào): CN106960868A
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳星弼
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所11038
• 代理人: 孫寶海

1.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括一個(gè)第一主表面和一個(gè)與第一主表面相對的第二主表面，在所述第一主表面和所述第二主表面內(nèi)至少含有一個(gè)元胞，所述元胞在緊貼所述第一主表面內(nèi)有一個(gè)器件的第一特征區(qū)，在緊貼所述第二主表面內(nèi)有一個(gè)器件的第二特征區(qū)，在器件的所述第一特征區(qū)和所述第二特征區(qū)之間存在一個(gè)耐壓區(qū)，其特征在于：所述耐壓區(qū)包括至少一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)和一個(gè)(I+C)區(qū)，所述半導(dǎo)體區(qū)和所述(I+C)區(qū)之間有相互直接連接的面；所述(I+C)區(qū)至少含有一個(gè)絕緣體區(qū)并至少含有一個(gè)導(dǎo)電區(qū)域；

所述半導(dǎo)體器件至少有兩個(gè)電極；一個(gè)電極緊貼于所述第一主表面的部分區(qū)域或全部區(qū)域；另一個(gè)電極緊貼于所述第二主表面的部分區(qū)域或全部區(qū)域；兩個(gè)電極在所述第一主表面和所述第二主表面所夾的空間的外部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述的半導(dǎo)體器件由多個(gè)元胞的密堆積形成的；在器件的所述第一特征區(qū)和所述第二特征區(qū)之間的一個(gè)剖面上，耐壓區(qū)的構(gòu)造是叉指條形結(jié)構(gòu)，或六角形結(jié)構(gòu)，或長方形結(jié)構(gòu)，或方塊形結(jié)構(gòu)，或鑲嵌方塊形結(jié)構(gòu)；

在離開所述第一主表面的不同距離的剖面上，(I+C)區(qū)的面積與半導(dǎo)體區(qū)的面積的比例是不變的或是變化的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件，所述耐壓區(qū)中的半導(dǎo)體區(qū)包括第一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)與/或第二種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述器件的第二特征區(qū)為一個(gè)第一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)；

所述器件的第一特征區(qū)包含一個(gè)與耐壓區(qū)中的半導(dǎo)體區(qū)直接連接的第二種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū),或者還包含一個(gè)與耐壓區(qū)中(I+C)區(qū)相連接的第二種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)或一個(gè)導(dǎo)體區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述器件的第二特征區(qū)有一個(gè)第二種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)緊貼在所述第二主表面，還有一個(gè) 與第二種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)相連接的第一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)，所述第一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)又與耐壓區(qū)相連接；

所述器件的第一特征區(qū)包含一個(gè)與耐壓區(qū)中第一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)直接連接的第二種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)，或者還包含一個(gè)與耐壓區(qū)中(I+C)區(qū)相連接的第二種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)或一個(gè)導(dǎo)體區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件是金-半接觸的肖特基二極管，所述器件的第二特征區(qū)是一個(gè)第一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)；

所述器件的第一特征區(qū)為金屬，所述金屬與耐壓區(qū)中的第一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料直接連接；

所述器件的第一特征區(qū)及所述器件的第二特征區(qū)各有導(dǎo)體連出分別作為肖特基二極管的兩個(gè)電極；

所述器件的第一特征區(qū)還包含一個(gè)與耐壓區(qū)中的(I+C)區(qū)相連接的第二種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)或一個(gè)導(dǎo)體區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件是一個(gè)JBS整流器或一個(gè)MPS整流器，所述器件的第二特征區(qū)是一個(gè)第一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)；

所述器件的第一特征區(qū)含有一個(gè)金屬區(qū)，所述金屬區(qū)與耐壓區(qū)中的第一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)有直接連接；

所述器件的第一特征區(qū)還含有第二種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)，它與耐壓區(qū)中的第一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)有直接連接，還與所述金屬區(qū)直接連接；

所述器件的第一特征區(qū)及所述器件的第二特征區(qū)各有導(dǎo)體連出分別作為JBS整流器或一個(gè)MPS整流器的兩個(gè)電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件是一個(gè)雙極型晶體管，所述器件的第二特征區(qū)是一個(gè)第一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)；

所述耐壓區(qū)中至少有第一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)，構(gòu)成雙極型晶體管的集電區(qū)；

所述器件的第一特征區(qū)所包含的第二種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)，構(gòu)成雙極型晶體管的基區(qū)；

所述器件的第一特征區(qū)內(nèi)還有一個(gè)除在半導(dǎo)體表面外均被所述基區(qū)所包圍的第一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)，構(gòu)成雙極型晶體管的發(fā)射區(qū)；

在所述器件的第二特征區(qū)的第一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)有導(dǎo)體連出作為集電極，在所述基區(qū)有導(dǎo)體連出作為基極，在所述發(fā)射區(qū)有導(dǎo)體連出作為發(fā)射極。