[發(fā)明專利]基于犧牲層技術(shù)的SOI壓力敏感芯片及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610012130.6 | 申請日： | 2016-01-08 |
| 公開（公告）號： | CN105444931B | 公開（公告）日： | 2018-09-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 揣榮巖;衣暢;張曉民;關(guān)若飛;關(guān)艷霞;李新;劉一婷 | 申請（專利權(quán)）人： | 沈陽工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | G01L1/22 | 分類號： | G01L1/22;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 沈陽智龍專利事務(wù)所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 周楠;宋鐵軍 |
| 地址： | 110870 遼寧省沈*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 犧牲 技術(shù) soi 壓力 敏感 芯片 及其 制造 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.基于犧牲層技術(shù)的SOI壓力敏感芯片的制造工藝，其特征在于：該工藝步驟如下：
（1）一次光刻，在SOI材料的正面刻蝕出腔體和8個(gè)矩形腐蝕通道；
（2）二次光刻，在步驟（1）形成的單晶硅薄膜上刻蝕隔離槽，形成四個(gè)應(yīng)變電阻；
（3）利用低壓化學(xué)氣相沉積法（LPCVD）淀積第一層氮化硅鈍化薄膜即氮化硅絕緣保護(hù)層；
（4）三次光刻，形成應(yīng)變電阻的引線孔；
（5）淀積金屬層，第四次光刻，形成金屬導(dǎo)線；
（6）利用LPCVD淀積一層氮化硅薄膜，形成第二層氮化硅絕緣保護(hù)層；
（7）利用LPCVD淀積第一層多晶硅結(jié)構(gòu)層；
（8）五次光刻，形成腐蝕孔；
（9）濕法腐蝕去掉二氧化硅犧牲層；
（10）利用LPCVD淀積第二層多晶硅，形成密封腔體；
（11）六次光刻，形成外引線壓焊點(diǎn)；
（12）劃片、測試。
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