[發明專利]微柱型聚焦測井儀全電阻刻度網絡設計方法

有效

• 申請號: 201610011029.9
• 申請日: 2016-01-05
• 公開（公告）號: CN105701281B
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 嵇成高;李智強;李國英;唐金波;王志勇;郭運;姬勇力;鮑學飛;劉翰檐;呂巍;李衛強;肖金龍;何建遠;沈亞雙;王浩然
• 申請（專利權）人: 中國石油集團測井有限公司;中國電子科技集團公司第二十二研究所
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 天津才智專利商標代理有限公司 12108
• 代理人: 劉美甜

1.一種微柱型聚焦測井儀全電阻刻度網絡設計方法，其特征在于包括如下步驟：

1)畫出一個等邊多邊形，該等邊多邊形的頂點數目與微柱型聚焦測井儀所包含的電極數目相等，記為k；將多邊形的頂點設定為電極，各電極分別與其它電極兩兩相連，兩兩電極相連的直線上依次標注導納，構成微柱型聚焦測井儀的全電阻刻度網絡，導納數為記為h；

2)列出擴展導納矩陣Y([1:k],[1:k])，其中各點是以與其在步驟1)中多邊形中對應的電極之間連線所標注導納的和；

3)在兩兩電極之間加電流源，記為i_ns，以公式Y_nφ_n＝i_ns計算電極節點的點位列向量φ_n，其中n指代1～k中任意一自然數，s表示電流源；Y_n為電阻網絡的導納矩陣，φ_n為各電極電位組成的列向量；對應從所述擴展導納矩陣中提取加電流源的兩個電極產生的導納矩陣Y_n，提取方法為：去除接地電極在擴展導納矩陣中對應的行和列，即得到對應的導納矩陣Y_n；將Y_nφ_n＝i_ns推導成公式A_nG＝i_ns；其中，G為h個電阻的導納組成的一列向量，即G＝[G₁ G₂… G_h]^T，T代表轉置，A_n為系數矩陣，得到A_n；

4)重復步驟3)計算h個電流源，得到所有A_n，形成矩陣AG＝i_s，s表示電流源；式中，A＝[A₁ A₂ … A_h]^T，i_s＝[i_1s i_2s … i_hs]^T，T代表轉置；其中A₁，A₂，...A_h均為(k-1)×h的矩陣；求解，得到h個電阻的阻值。

2.如權利要求1所述微柱型聚焦測井儀全電阻刻度網絡設計方法，其特征在于：

步驟1)中微柱型聚焦測井儀所包含的電極數目k＝9，繪制等邊9邊 形，對應電阻數目，也即導納數目將等邊9邊形上標注導納；

步驟2)中在兩兩電極之間加電流源，記為i_ns，以公式Y_nφ_n＝i_ns計算電極節點的點位列向量φ_n，其中n指代1～9中任意一自然數，s表示電流源；Y_n為電阻網絡的導納矩陣，φ_n為各電極電位組成的列向量；再依據電路等效原理計算出對應的導納矩陣Y_n，將Y_nφ_n＝i_ns推導成公式A_nG＝i_ns；其中，G為36個電阻的導納組成的一列向量，即G＝[G₁ G₂ … G₃₆]^T，T代表轉置，A_n為系數矩陣，得到A_n；

3)重復步驟2)計算36個電流源，得到所有A_n，形成矩陣AG＝i_s，s表示電流源；式中，A＝[A₁ A₂ … A₃₆]^T，i_s＝[i_1s i_2s … i_36s]^T，T代表轉置；其中A₁，A₂，...A₃₆均為8×36的矩陣；求解，得到36個電阻的阻值。

3.如權利要求1所述微柱型聚焦測井儀全電阻刻度網絡設計方法，其特征在于：

步驟1)中微柱型聚焦測井儀所包含的電極數目k＝9，繪制等邊9邊形，對應電阻數目，也即導納數目將等邊9邊形上標注導納；

2)列出擴展導納矩陣Y([1:9],[1:9])，其中各點是以與其在步驟1)中多邊形中對應的電極之間連線所標注導納的和，即：

3)在兩兩電極之間加電流源，記為i_ns，以公式Y_nφ_n＝i_ns計算電極節點的點位行向量φ_n，其中n指代1～9中任意一自然數，s表示電流源；Y_n為電阻網絡的導納矩陣，φ_n為各電極電位組成的列向量；對應從所述擴展導納矩陣中提取加電流源的兩個電極產生的導納矩陣Y_n，提取方法為：去除接地電極在擴展導納矩陣中對應的行和列，即得到對應的導納矩陣Y_n；將Y_nφ_n＝i_ns推導成公式A_nG＝i_ns；其中，G為36個電阻的導納組成的一列向量，即G＝[G₁ G₂… G₃₆]^T，T代表轉置，A_n為系數矩陣，得到A_n；

4)重復步驟3)計算36個電流源，得到所有A_n，形成矩陣AG＝i_s，s表示電流源；式中，A＝[A₁ A₂ … A₃₆]^T，i_s＝[i_1s i_2s … i_36s]^T，T代表轉置；其中A₁，A₂，...A₃₆均為8×36的矩陣；求解，得到h個電阻的阻值。