[發(fā)明專利]全相變自旋非易失存儲單元有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610010917.9 | 申請日： | 2016-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN106960904B | 公開（公告）日： | 2019-05-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李黃龍;張子陽;施路平 | 申請（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué) |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44311 | 代理人： | 王賽 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 相變 自旋 非易失 存儲 單元 | ||
1.一種全相變自旋非易失存儲單元，包括磁固定層、間隔層、磁自由層；所述磁固定層、間隔層以及磁自由層依次層疊設(shè)置，所述間隔層設(shè)置在所述磁固定層和磁自由層之間，且該間隔層分別與所述磁固定層和磁自由層接觸設(shè)置；其特征在于，所述磁固定層、所述磁自由層的材料均為界面相變材料，所述界面相變材料包括兩種體相變材料交替層疊設(shè)置，所述間隔層工作過程中固定選擇晶態(tài)或非晶態(tài)相變材料。
2.如權(quán)利要求1所述的全相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，所述磁固定層及所述磁自由層的厚度在15nm-30nm之間。
3.如權(quán)利要求1所述的全相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，所述兩種體相變材料交替層疊的周期數(shù)為10-40。
4.如權(quán)利要求1所述的全相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，進一步包括第一電極與第二電極，所述第一電極設(shè)置在所述磁固定層遠離所述間隔層的表面，所述第二電極設(shè)置在所述磁自由層遠離所述間隔層的表面。
5.如權(quán)利要求1所述的全相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，進一步包括數(shù)據(jù)寫入電路以及數(shù)據(jù)讀出電路，所述數(shù)據(jù)寫入電路和數(shù)據(jù)讀出電路為恒流源或脈沖信號源。
6.如權(quán)利要求1所述的全相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，所述界面相變材料處于低阻態(tài)。
7.如權(quán)利要求1所述的全相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，所述界面相變材料包括交替層疊設(shè)置的體相變材料Sb2Te3和GeTe。
8.如權(quán)利要求1所述的全相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，所述間隔層的材料為GexTeySbz，其中x、y、z為整數(shù)。
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