[發明專利]一種減小氧化鉿柵介質漏電流的方法在審
| 申請號： | 201610010259.3 | 申請日： | 2016-01-07 |
| 公開（公告）號： | CN105679661A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發明（設計）人： | 陳松巖;許怡紅;李成;黃巍 | 申請（專利權）人： | 廈門大學 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 馬應森 |
| 地址： | 361005 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減小 氧化 介質 漏電 方法 | ||
1.一種減小氧化鉿柵介質漏電流的方法，其特征在于包括以下步驟：
1)首先對p-Si(100)襯底進行RCA標準清洗，去除有機污染物、氧化物和金屬雜質等物 質；
2)將p-Si(100)襯底放入電子束真空鍍膜系統(e-Beam)中，沉積一層HfO2薄膜，得到 HfO2/Si結構；
3)將步驟2)得到的樣品放入感應耦合等離子體刻蝕機中，采用氧等離子體對其進行處 理；
4)將步驟3)處理后的樣品正面固定在掩膜板上，放入磁控濺射機中沉積金屬作為上電 極，在樣品Si襯底的背面濺射金屬作為背電極，即得MOS結構器件。
2.如權利要求1所述一種減小氧化鉿柵介質漏電流的方法，其特征在于在步驟2)中， 所述沉積采用電子束蒸發沉積。
3.如權利要求1所述一種減小氧化鉿柵介質漏電流的方法，其特征在于在步驟2)中， 所述HfO2薄膜的厚度為20nm。
4.如權利要求1所述一種減小氧化鉿柵介質漏電流的方法，其特征在于在步驟3)中， 所述處理的條件為：設置氧氣流量40sccm，功率130W，在反應離子刻蝕模式下，對樣品進 行氧等離子體處理，處理時間為10min。
5.如權利要求1所述一種減小氧化鉿柵介質漏電流的方法，其特征在于在步驟4)中， 所述沉積金屬是沉積一層50nm的TaN和300nmAl作為上電極。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
