[發明專利]用于QLED的像素限定結構、像素單元及顯示面板

有效

• 申請號: 201610010182.X
• 申請日: 2016-01-06
• 公開（公告）號: CN105655457B
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 甄常刮
• 申請（專利權）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/24;H01L33/44;H01L27/15
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 趙囡囡;梁文惠

1.一種用于QLED的像素限定結構，設置在基板上，所述像素限定結構包括多層疊置的絕緣層(1)和設置在所述絕緣層(1)中的發光區域(2)，其特征在于，相鄰所述絕緣層(1)的親水-疏水性能相反，

所述絕緣層(1)中位于所述基板上的絕緣層(1)為第一絕緣層(11)，位于所述第一絕緣層(11)中的所述發光區域(2)為第一發光區域(21)；

與所述第一絕緣層(11)相鄰的絕緣層(1)為第二絕緣層(12)，位于所述第二絕緣層(12)中的所述發光區域(2)為第二發光區域(22)，所述第一發光區域(21)和所述第二發光區域(22)的位于同一側的側壁不在同一平面上，且所述第一發光區域(21)的最大寬度小于或等于所述第二發光區域(22)的最小寬度；并且

所述第一發光區域(21)的側壁為向所述第一絕緣層(11)凸起的弧面。

2.根據權利要求1所述的像素限定結構，其特征在于，所述弧面的切面與所述第一絕緣層(11)的最大夾角小于或等于30°。

3.根據權利要求1或2所述的像素限定結構，其特征在于，所述第二發光區域(22)的側壁垂直于所述第一絕緣層(11)。

4.根據權利要求1或2所述的像素限定結構，其特征在于，所述第二發光區域(22)的側壁為向所述第二絕緣層(12)凹陷的弧面。

5.根據權利要求1或2所述的像素限定結構，其特征在于，所述絕緣層(1)的層數至少為三層，且相鄰所述絕緣層(1)的同一側的側壁不在同一平面內。

6.根據權利要求3所述的像素限定結構，其特征在于，所述絕緣層(1)的層數至少為三層，且相鄰所述絕緣層(1)的同一側的側壁不在同一平面內。

7.根據權利要求4所述的像素限定結構，其特征在于，所述絕緣層(1)的層數至少為三層，且相鄰所述絕緣層(1)的同一側的側壁不在同一平面內。

8.一種QLED的像素單元，包括：

基板；

像素限定結構，設置在所述基板上且具有絕緣層和發光區域；

多個陽極，設置在所述基板對應所述發光區域的位置；

發光功能層，設置在所述陽極上；

陰極，設置在所述發光功能層上，其特征在于，所述像素限定結構為權利要求1至7中任一項所述的像素限定結構，所述陽極與所述像素限定結構的第一絕緣層的親水-疏水性能相同，且所述第一絕緣層與形成所述發光功能層中靠近所述基板的部分的液態功能層材料的親水-疏水性能相同。

9.根據權利要求8所述的像素單元，其特征在于，各所述絕緣層與形成對應其的發光功能層的液態功能層材料的親水-疏水性能相同。

10.根據權利要求9所述的像素單元，其特征在于，所述發光功能層包括依次遠離所述陽極層疊設置的可選的第一注入層、可選的第一傳輸層、量子點發光層、可選的第二傳輸層以及可選的第二注入層，所述第一注入層與所述第二注入層不同且選自電子注入層和空穴注入層中的一種，所述第一傳輸層和所述第二傳輸層不同且選自電子傳輸層和空穴傳輸層中的一種，所述絕緣層與所述發光功能層的層數相同且一一對應設置。

11.一種QLED顯示面板，具有像素單元，其特征在于，所述像素單元為權利要求8至10中任一項所述的像素單元。