[發明專利]場效應晶體管的制造方法有效
| 申請號： | 201610010064.9 | 申請日： | 2009-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN105575803B | 公開（公告）日： | 2018-11-09 |
| 發明（設計）人： | 赤松泰彥;武井應樹;清田淳也;石橋曉;湯川富之;小林大士;倉田敬臣;新井真 | 申請（專利權）人： | 株式會社愛發科 |
| 主分類號： | H01L21/335 | 分類號： | H01L21/335;H01L21/203;H01L21/324;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京華夏正合知識產權代理事務所(普通合伙) 11017 | 代理人： | 韓登營;高偉 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 場效應 晶體管 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種場效應晶體管的制造方法，其特征在于，
在將基材加熱到了100℃以上200℃以下的溫度狀態下，采用氧氣氣壓條件為0.02Pa以上0.28Pa以下的濺射法在所述基材上形成活性層，其中，該活性層具有In-Ga-Zn-O系成分，
以300℃以上不到400℃的加熱溫度條件對所形成的所述活性層進行退火處理。
2.如權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，
通過所述退火處理，使場效應晶體管的導通電流與關斷電流的比值達到1.E+08的水平。
3.如權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，
在通過成膜處理形成所述活性層前，使用加熱管或加熱燈加熱所述基材使其達到上述溫度狀態。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
