[發(fā)明專利]一種片狀單晶α-氧化鋁及其制備方法和用途在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610009854.5 | 申請(qǐng)日： | 2016-01-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105645445A | 公開（公告）日： | 2016-06-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張力;唐春梅;王明清;李相東;杜鵬飛;肖逸菲;黃孝龍;張玲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 成都理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C01F7/02 | 分類號(hào)： | C01F7/02;C01F7/44;C08K3/22;C09D7/12 |
| 代理公司： | 成都希盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51226 | 代理人： | 武森濤;柯海軍 |
| 地址： | 610051 四川*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 片狀 氧化鋁 及其 制備 方法 用途 | ||
1.一種片狀單晶α-氧化鋁的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
a、以鋁的水合物或過渡相氧化鋁為原料，加入熔鹽，混合，研磨；按照重量比，鋁的水 合物或過渡相氧化鋁:加入的熔鹽＝1:1～10；
b、向a步驟研磨后的物料中加入氟化物，研磨，混合均勻，得到混合物料；其中，氟化 物的加入量為生成的α-氧化鋁重量的1～50％；
c、將b步驟得到的混合物料，以1～20℃/min的速率升溫至700～1200℃，保溫0.5～ 4h，冷卻至室溫；
d、將c步驟冷卻后得到的物料用60～100℃的熱水溶解，洗滌，過濾；
e、重復(fù)d步驟，直至其中熔鹽全部被除去，干燥，得到片狀單晶α-氧化鋁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種片狀單晶α-氧化鋁的制備方法，其特征在于：所述鋁的水 合物為一水氧化鋁、三水氧化鋁和氫氧化鋁凝膠中的至少一種；優(yōu)選為勃姆石、擬勃姆石、 三水鋁石、拜三水鋁石、諾三水鋁石、氫氧化鋁凝膠中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種片狀單晶α-氧化鋁的制備方法，其特征在于：所述過渡相 氧化鋁為非晶氧化鋁或結(jié)晶氧化鋁中的至少一種；優(yōu)選為γ-Al2O3、δ-Al2O3、η-Al2O3、θ-Al2O3、 κ-Al2O3、ρ-Al2O3中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種片狀單晶α-氧化鋁的制備方法，其特征在于：所述熔鹽為 堿金屬的硫酸鹽或氯化物中的至少一種；優(yōu)選為NaCl、KCl、LiCl、CsCl、RbCl、Na2SO4、K2SO4、 Li2SO4、Rb2SO4、Cs2SO4中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述一種片狀單晶α-氧化鋁的制備方法，其特征在于：a 步驟中按照重量比，鋁的水合物或過渡相氧化鋁:加入的熔鹽＝1:2～4。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種片狀單晶α-氧化鋁的制備方法，其特征在于：所述氟化物 為NH4F、NaF、KF、LiF、RbF、CsF、HF、ZnF2中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種片狀單晶α-氧化鋁的制備方法，其特征在于：氟化物的加 入量為生成的α-氧化鋁重量的10％。
8.權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述制備方法制備的片狀單晶α-氧化鋁，其特征在于：片狀 單晶α-氧化鋁粒徑為5～100um，徑厚比為10～200。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述一種片狀單晶α-氧化鋁，其特征在于：片狀單晶α-氧化鋁粒 徑為10～50um，徑厚比為50～150。
10.權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述制備方法制備的片狀單晶α-氧化鋁用于高分子填充材料 領(lǐng)域的用途，其特征在于：所述高分子填充材料為塑料、橡膠、涂料。
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