[發(fā)明專利]存儲器裝置刷新方法及可調整刷新操作頻率的存儲器裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610009723.7
• 申請日: 2016-01-07
• 公開（公告）號: CN106952662B
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發(fā)明（設計）人: 陳宗仁
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 郭曉宇

1.一種存儲器裝置的刷新方法，適用于一存儲器裝置的其中一個半導體阱區(qū)的一存儲器陣列，其特征在于，包括：

記錄每個擦除指令中的擦除脈沖次數(shù)及/或擦除電壓位準；

判斷未被選擇的多個扇區(qū)；

判斷任一所述擦除脈沖次數(shù)或所述擦除電壓位準是否大于等于一預定值；

當任一所述擦除脈沖次數(shù)或所述擦除電壓位準大于等于所述預定值時，使用一第二刷新操作頻率刷新所述未被選擇的扇區(qū)；以及

當所述擦除脈沖次數(shù)或所述擦除電壓位準小于所述預定值時，使用一第一刷新操作頻率刷新所述未被選擇的扇區(qū)，且所述第一刷新操作頻率小于所述第二刷新操作頻率。

2.如權利要求1所述的刷新方法，其特征在于，所述存儲器裝置為一閃存。

3.如權利要求1所述的刷新方法，其特征在于，于執(zhí)行固定數(shù)量的擦除指令之后，執(zhí)行所述的刷新方法，且所述第二刷新操作頻率刷新的未被選擇的扇區(qū)的數(shù)目大于所述第一刷新操作頻率刷新的未被選擇的扇區(qū)的數(shù)目。

4.如權利要求3所述的刷新方法，其特征在于，更包括記錄已刷新的未被選擇的扇區(qū)的地址，且使用所述第一刷新操作頻率或所述第二刷新操作頻率刷新未曾被刷新的所述未被選擇的扇區(qū)。

5.如權利要求1所述的刷新方法，其特征在于，于執(zhí)行可變數(shù)量的擦除指令之后，執(zhí)行所述的刷新方法，且當使用所述第二刷新操作頻率時，于刷新操作前對選擇的扇區(qū)執(zhí)行擦除指令的次數(shù)小于使用所述第一刷新操作頻率時于刷新操作前對選擇的扇區(qū)執(zhí)行擦除指令的次數(shù)。

6.如權利要求5所述的刷新方法，其特征在于，使用所述第一刷新操作頻率或所述第二刷新操作頻率刷新所有的所述未被選擇的扇區(qū)。

7.如權利要求5所述的刷新方法，其特征在于，所述第二刷新操作頻率刷新的未被選擇的扇區(qū)的數(shù)目大于所述第一刷新操作頻率刷新的未被選擇的扇區(qū)的數(shù)目。

8.如權利要求7所述的刷新方法，更包括記錄已刷新的未被選擇的扇區(qū)的地址，且使用所述第一刷新操作頻率或所述第二刷新操作頻率刷新未曾被刷新的所述未被選擇的扇區(qū)。

9.一種可調整刷新操作頻率的存儲器裝置，其特征在于，包括：

一存儲器陣列，包括多個扇區(qū)，設置于一半導體阱區(qū)；

一解碼器，接收一地址信號，所述解碼器根據(jù)所述地址信號選擇所述多個扇區(qū)的其中一者，并提供至少一擦除脈沖及其對應的擦除電壓位準至所述被選擇的扇區(qū)；

一擦除條件記錄器，記錄每個擦除指令中的擦除脈沖次數(shù)及/或擦除電壓位準；以及

一暫存器，儲存一第一刷新操作頻率與一第二刷新操作頻率，且所述第一刷新操作頻率小于所述第二刷新操作頻率；

其中，當所述擦除脈沖次數(shù)或所述擦除電壓位準大于等于一預定值時，使用所述第二刷新操作頻率刷新未被選擇的扇區(qū)；

其中，當所述擦除脈沖次數(shù)或所述擦除電壓位準小于所述預定值時，使用所述第一刷新操作頻率刷新所述未被選擇的扇區(qū)。

10.如權利要求9所述的存儲器裝置，其特征在于，所述存儲器裝置為一閃存。

11.如權利要求9所述的存儲器裝置，其特征在于，所述第二刷新操作頻率刷新的未被選擇的扇區(qū)的數(shù)目大于所述第一刷新操作頻率刷新的未被選擇的扇區(qū)的數(shù)目。

12.如權利要求9所述的存儲器裝置，其特征在于，當使用所述第二刷新操作頻率時，于刷新操作前對選擇的扇區(qū)執(zhí)行擦除指令的次數(shù)小于使用所述第一刷新操作頻率時于刷新操作前對選擇的扇區(qū)執(zhí)行擦除指令的次數(shù)。

13.如權利要求12所述的存儲器裝置，其特征在于，使用所述第一刷新操作頻率或所述第二刷新操作頻率刷新所有的所述未被選擇的扇區(qū)。

14.如權利要求12所述的存儲器裝置，其特征在于，所述第二刷新操作頻率刷新的未被選擇的扇區(qū)的數(shù)目大于所述第一刷新操作頻率刷新的未被選擇的扇區(qū)的數(shù)目。