[發明專利]一種單模多環纖芯耦合多塊摻稀土瓣狀纖芯的光纖

在審

• 申請號: 201610009045.4
• 申請日: 2016-01-07
• 公開（公告）號: CN105589127A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發明（設計）人: 馬紹朔;李晶;祝小光;寧提綱;張傳彪;李超;袁瑾
• 申請（專利權）人: 北京交通大學
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02;G02B6/036
• 代理公司: 北京衛平智業專利代理事務所(普通合伙) 11392
• 代理人: 董琪

1.單模多環纖芯耦合多塊摻稀土瓣狀纖芯的光纖，其特征為：該光纖中心 為摻稀土離子芯區(1)，由內到外分布第一硅環芯(2，1)、第一摻稀土離子環 芯(3,1)……第N硅環芯(2，N)、第N摻稀土離子環芯(3，N)，該光纖內 包層圍繞第N摻稀土離子環芯(3，N)均勻分布M個相同半徑、弧度和厚度的 瓣狀纖芯(4，1)……(4，M)，內包層(5)，外包層(6)，1≤N≤5整數， 3≤M≤32整數；

摻稀土離子芯區(1)、摻稀土離子環芯(3，1)……(3，N)、瓣狀纖芯 (4，1)……(4，M)的折射率相等；第一硅環芯(2，1)……第N硅環芯(2， N)的折射率相等；第一硅環芯(2，1)……第N硅環芯(2，N)的折射率小 于摻稀土離子芯區(1)、摻稀土離子環芯(3，1)……(3，N)、瓣狀纖芯(4、 1)……(4、M)的折射率；內包層(5)的折射率小于第一硅環芯(2，1)…… 第N硅環芯(2，N)的折射率，外包層(6)的折射率小于內包層(5)的折射 率。

2.根據權利要求1所述的單模多環纖芯耦合多塊摻稀土瓣狀纖芯的光 纖，其特征為：摻稀土離子芯區(1)、摻稀土離子環芯(3，1)……(3，N)、 瓣狀纖芯(4，1)……(4，M)的摻稀土離子類型包括釹離子、鉺離子、鐿離 子、釷離子、鐠離子、鈥離子、釤離子、釹鐿共摻離子或鉺鐿共摻離子；摻稀 土離子芯區(1)、摻稀土離子環芯(3，1)……(3，N)、瓣狀纖芯(4，1)…… (4，M)的摻稀土離子類型相同。

3.根據權利要求1所述的單模多環纖芯耦合多塊摻稀土瓣狀纖芯的光 纖，其特征為：摻稀土離子芯區(1)的纖芯直徑小于等于50μm；摻稀土離子 環芯(3，1)……(3，N)的各環芯厚度小于等于5μm，瓣狀纖芯(4，1)…… (4，M)的厚度小于等于25μm。

4.根據權利要求1所述的單模多環纖芯耦合多塊摻稀土瓣狀纖芯的光 纖，其特征為：摻稀土離子芯區(1)與第一摻稀土離子環芯(3,1)的最小距離 小于等于5μm，各個摻稀土離子環芯(3，1)……(3，N)之間的最小距離小 于等于5μm，瓣狀纖芯(3，1)、(3，2)……(3，M)均勻分布，各塊瓣狀纖 芯弧度等于180°除以M。