[發明專利]一種抗彎曲瓣狀大模場單模光纖

有效

• 申請號: 201610009041.6
• 申請日: 2016-01-07
• 公開（公告）號: CN105607183B
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 馬紹朔;李晶;祝小光;寧提綱;張傳彪;李超;袁瑾
• 申請（專利權）人: 北京交通大學
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02;G02B6/028
• 代理公司: 北京衛平智業專利代理事務所(普通合伙) 11392
• 代理人: 董琪

1.抗彎曲瓣狀大模場單模光纖，其特征為：該光纖中心為摻稀土離子芯區(1)，由內到外分布圍繞摻稀土離子芯區(1)均勻分布的N個相同半徑、弧度和厚度的瓣狀纖芯(21)……(2N)，內包層(3)，外包層(4)，3≤N≤8整數；

摻稀土離子芯區(1)的折射率橫剖面呈拋物線形，最大相對折射率差Δ＝(n1-n2)，為0.3％～1.1％；稀土離子芯區(1)的中心、瓣狀纖芯(21)……(2N)的折射率相等，為n1；內包層(3)的折射率小于瓣狀纖芯(21)……(2N)的折射率，為n2；外包層(4)的折射率小于內包層(3)的折射率。

2.根據權利要求1所述的抗彎曲瓣狀大模場單模光纖，其特征為：摻稀土離子芯區(1)、瓣狀纖芯(21)……(2N)的摻稀土離子類型包括釹離子、鉺離子、鐿離子、釷離子、鐠離子、鈥離子、釤離子、釹鐿共摻離子或鉺鐿共摻離子；摻稀土離子芯區(1)、瓣狀纖芯(21)……(2N)的摻稀土離子類型相同。

3.根據權利要求1所述的抗彎曲瓣狀大模場單模光纖，其特征為：摻稀土離子芯區(1)的纖芯半徑R1為23～27μm；瓣狀纖芯(21)……(2N)的厚度d為70～80μm。

4.根據權利要求1所述的抗彎曲瓣狀大模場單模光纖，其特征為：瓣狀纖芯(21)(22)……(2N)圍繞摻稀土離子芯區(1)均勻分布，各塊瓣狀纖芯弧度等于15°～25°。