[發(fā)明專利]一種側(cè)入式背光模組及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610008825.7 | 申請日: | 2016-01-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105652516A | 公開(公告)日: | 2016-06-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉剛;施祖?zhèn)?/a>;吳波;何書勇;李德君;方旭東 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥京東方顯示光源有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/13357 | 分類號(hào): | G02F1/13357;G02B6/00 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 230011 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 側(cè)入式 背光 模組 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種側(cè)入式背光模組,包括導(dǎo)光板和位于所述導(dǎo)光板的入光面一側(cè)的藍(lán)光光源,其 特征在于,所述導(dǎo)光板的出光面上設(shè)置有量子點(diǎn)層,且所述量子點(diǎn)層完全覆蓋所述導(dǎo)光板 的出光面;所述量子點(diǎn)層包括用于發(fā)紅光的量子點(diǎn)和用于發(fā)綠光的量子點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)入式背光模組,其特征在于,所述量子點(diǎn)層通過濺射的方式 形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)入式背光模組,其特征在于,所述量子點(diǎn)層為單層結(jié)構(gòu),所 述單層結(jié)構(gòu)包括相互混合的所述用于發(fā)紅光的量子點(diǎn)和所述用于發(fā)綠光的量子點(diǎn);或者, 所述量子點(diǎn)層為雙層結(jié)構(gòu),所述雙層結(jié)構(gòu)中的一層為用于發(fā)紅光的量子點(diǎn)層,所述雙層結(jié) 構(gòu)中的另一層為用于發(fā)綠光的量子點(diǎn)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)入式背光模組,其特征在于,所述用于發(fā)紅光的量子點(diǎn)和所 述用于發(fā)綠光的量子點(diǎn)均包括:半導(dǎo)體殼及設(shè)置于所述半導(dǎo)體殼內(nèi)的發(fā)光核。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的側(cè)入式背光模組,其特征在于,所述用于發(fā)紅光的量子點(diǎn)的發(fā) 光核的材質(zhì)和所述用于發(fā)綠光的量子點(diǎn)的發(fā)光核的材質(zhì)均為硒化鎘,所述用于發(fā)紅光的量 子點(diǎn)的發(fā)光核的直徑為5納米~5.5納米,所述用于發(fā)綠光的量子點(diǎn)的發(fā)光核的直徑為3納 米~3.5納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的側(cè)入式背光模組,其特征在于,所述用于發(fā)紅光的量子點(diǎn)的半 導(dǎo)體殼的材質(zhì)和所述用于發(fā)綠光的量子點(diǎn)的半導(dǎo)體殼的材質(zhì)均為硫化鋅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)入式背光模組,其特征在于,所述量子點(diǎn)層背向所述導(dǎo)光板 的一面上設(shè)置有保護(hù)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)入式背光模組,其特征在于,所述導(dǎo)光板的曲翹高度與所述 導(dǎo)光板的厚度之間的比值小于等于0.5。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1~8任一項(xiàng)所述的側(cè)入式背光模組。
10.一種側(cè)入式背光模組的制作方法,其特征在于,包括:
提供一導(dǎo)光板;
在所述導(dǎo)光板的出光面上形成量子點(diǎn)層,所述量子點(diǎn)層完全覆蓋所述導(dǎo)光板的出光 面,且所述量子點(diǎn)層包括用于發(fā)紅光的量子點(diǎn)和用于發(fā)綠光的量子點(diǎn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的側(cè)入式背光模組的制作方法,其特征在于,在導(dǎo)光板的出光 面上形成量子點(diǎn)層的步驟包括:通過濺射的方式在所述導(dǎo)光板的出光面上形成所述量子點(diǎn) 層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的側(cè)入式背光模組的制作方法,其特征在于,通過濺射的方式 在導(dǎo)光板的出光面上形成量子點(diǎn)層的步驟包括:
提供一濺射腔室;
將所述導(dǎo)光板放置于所述濺射腔室內(nèi)的陽極底座上,將量子點(diǎn)靶材放置于所述濺射腔 室內(nèi)的陰極基座上,所述量子點(diǎn)靶材包括相互混合的用于發(fā)紅光量子點(diǎn)和用于發(fā)綠光的量 子點(diǎn);
在所述陽極底座和所述陰極基座之間施加電壓以形成電場,充入所述濺射腔室中的惰 性氣體在所述電場的作用下電離,電離生成的惰性氣體離子在所述電場的作用下轟擊所述 量子點(diǎn)靶材;
轟擊出的用于發(fā)紅光的量子點(diǎn)和用于發(fā)綠光的量子點(diǎn)沉積在所述導(dǎo)光板的出光面上, 形成所述量子點(diǎn)層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的側(cè)入式背光模組的制作方法,其特征在于,通過濺射的方式 在導(dǎo)光板的出光面上形成量子點(diǎn)層的步驟包括:
提供一濺射腔室;
將所述導(dǎo)光板放置于所述濺射腔室內(nèi)的陽極底座上,將量子點(diǎn)靶材放置于所述濺射腔 室內(nèi)的陰極基座上,所述量子點(diǎn)靶材只包括用于發(fā)紅光的量子點(diǎn)或者用于發(fā)綠光的量子 點(diǎn);
在所述陽極底座和所述陰極基座之間施加電壓以形成電場,充入所述濺射腔室中的惰 性氣體在所述電場的作用下電離,電離生成的惰性氣體離子在所述電場的作用下轟擊所述 量子點(diǎn)靶材;
轟擊出的用于發(fā)紅光的量子點(diǎn)或者用于發(fā)綠光的量子點(diǎn)沉積在所述導(dǎo)光板的出光面 上,形成用于發(fā)紅光的量子點(diǎn)層或者用于發(fā)綠光的量子點(diǎn)層。
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G02F1-355 ..以所用材料為特征的
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