[發明專利]使用化學剝離方法的Ⅲ族氮化物基板的制備方法

有效

• 申請號: 201610008741.3
• 申請日: 2011-11-04
• 公開（公告）號: CN105702562B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 朱秦佑;白宗協;樸炯兆;李尚憲;丁鐸;金孳姢;吳和燮;鄭泰勳;金潤碩;田大祐
• 申請（專利權）人: 韓國光技術院
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/04;H01L33/00
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 劉成春;王瑩

1.一種非極性或半極性Ⅲ族氮化物基板的制備方法，其特征在于，其包括以下步驟：a)在提供非極性或半極性外延生長層生長表面的基板上形成第一Ⅲ族氮化物層；b)通過橫向生長方式，在所述第一Ⅲ族氮化物層上形成內部形成有1或2個以上截面為三角形的空穴的第二Ⅲ族氮化物層；c)在所述第二Ⅲ族氮化物層上形成第三Ⅲ族氮化物層；及d)對所述第二Ⅲ族氮化物層的至少一部分厚度實施化學蝕刻，得到分離的第三Ⅲ族氮化物層；且所述空穴里面的至少一個區域表現出N-極性，所處步驟b)包括以下步驟：在所述第一Ⅲ族氮化物層上形成圖案化的屏蔽層；及在形成有所述圖案化的屏蔽層的第一Ⅲ族氮化物層上形成Ⅲ族氮化物層，并且所述空穴隨屏蔽圖案連續地形成，從而構成通道，

其中，提供所述非極性或半極性外延生長層生長表面的基板為m-面藍寶石基板，所述第一Ⅲ族氮化物層為(11-22)方向的半極性層，所述屏蔽層向(1-100)方向圖案化，

其中，所述橫向生長方式為ELOG方式且所述屏蔽層由條紋圖案構成，所述條紋的寬度及條紋間距范圍分別為2～50μm及2～20μm。

2.根據權利要求1所述的Ⅲ族氮化物基板的制備方法，其特征在于，所述屏蔽層為SiO₂或SiN_x材質。

3.根據權利要求1所述的Ⅲ族氮化物基板的制備方法，其特征在于，所述第三Ⅲ族氮化物層由HVPE形成。

4.根據權利要求1所述的Ⅲ族氮化物基板的制備方法，其特征在于，所述第三Ⅲ族氮化物層的厚度至少為200μm。

5.根據權利要求1所述的Ⅲ族氮化物基板的制備方法，其特征在于，所述化學蝕刻是在熔融堿金屬鹽內形成。

6.根據權利要求5所述的Ⅲ族氮化物基板的制備方法，其特征在于，所述化學蝕刻是在400～600℃的溫度條件下，實施0.5～20分鐘。