[發明專利]一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示面板

有效

• 申請號: 201610008575.7
• 申請日: 2016-01-07
• 公開（公告）號: CN105655291B
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 舒適;馮京;徐傳祥;何曉龍;王久石
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;胡影

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上依次形成柵金屬層和柵極絕緣層的圖形；

形成半導體層的圖形，所述半導體層的圖形包括有源層區域和像素電極區域的圖形，所述半導體層包括重疊設置的第一氧化物層和第二氧化物層，所述第一氧化物層為絕緣性氧化物層，所述第二氧化物層為半導體性氧化物層，所述第一氧化物層位于所述柵極絕緣層和所述第二氧化物層之間；

形成源漏金屬層的圖形；

對所述像素電極區域的第二氧化物層進行等離子體處理，使得所述像素電極區域的第二氧化物層轉化為導體；

所述形成源漏金屬層的圖形的步驟之后還包括：

形成保護層的圖形，所述保護層為絕緣性氧化物層，所述保護層的圖形完全覆蓋源極和漏極之間的間隙區域對應的第二氧化物層；

形成鈍化層的圖形，所述保護層位于所述鈍化層和所述第二氧化物層之間。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成半導體層的圖形的步驟包括：

采用濺射工藝形成第一氧化物薄膜，濺射工藝采用的濺射氣體包括氧氣和氬氣，且氧氣的比例為第一比例，使得所述第一氧化物薄膜為絕緣性氧化物薄膜；

采用濺射工藝形成第二氧化物薄膜，濺射工藝采用的濺射氣體包括氧氣和氬氣，且氧氣的比例為第二比例，使得所述第二氧化物薄膜為半導體性氧化物薄膜；

采用構圖工藝對所述第一氧化物薄膜和第二氧化物薄膜進行構圖，形成半導體層的圖形，所述半導體層包括由所述第一氧化物薄膜形成的第一氧化物層以及由所述第二氧化物薄膜形成的第二氧化物層。

3.根據權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一比例的取值范圍為60％～90％，所述第二比例的取值范圍為30％～55％。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述柵金屬層的圖形包括柵極的圖形，所述源漏金屬層的圖形包括源極和漏極的圖形，所述漏極的圖形在所述襯底基板上的正投影區域完全落入所述柵極的圖形在所述襯底基板上的正投影區域內。

5.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述源漏金屬層的圖形包括源極和漏極的圖形以及像素電極區域的圖形，所述保護層的圖形還覆蓋源極和漏極的圖形，所述形成保護層的圖形步驟之后，對所述像素電極區域的第二氧化物層進行等離子體處理的步驟之前還包括：

以所述保護層為掩膜，對所述源漏金屬層進行刻蝕，去除像素電極區域的源漏金屬層圖形。

6.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，形成所述保護層的圖形之后，保留所述保護層的圖形上的光刻膠；

其中，對所述像素電極區域的第二氧化物層進行等離子體處理的步驟具體為：

采用所述光刻膠作為掩膜，對所述像素電極區域的第二氧化物層進行等離子體處理，使得所述像素電極區域的半導體性氧化物轉化為導體，其中，采用還原性氣體執行等離子處理；

剝離所述光刻膠。

7.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述柵金屬層的圖形包括公共電極線的圖形；所述形成鈍化層的圖形之后還包括：

形成公共電極層的圖形，所述公共電極層通過貫穿所述鈍化層和柵極絕緣層的過孔與所述公共電極線連接。

8.根據權利要求1-7任一項所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述絕緣性氧化物層為富氧氧化物層。

9.一種陣列基板，其特征在于，采用如權利要求1-8任一項所述的方法制作而成。