[發明專利]一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置有效
| 申請號： | 201610007847.1 | 申請日： | 2016-01-07 |
| 公開（公告）號： | CN106946216B | 公開（公告）日： | 2019-09-27 |
| 發明（設計）人： | 洪中山;王偉;鄭超 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/02 | 分類號： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 高偉;馮永貞 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mems 器件 及其 制備 方法 電子 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種MEMS器件的制備方法，包括：
步驟S1：提供底部晶圓，在所述底部晶圓上形成有粘結材料層；
步驟S2：在所述粘結材料層的側壁上形成第一間隙壁，以覆蓋所述側壁；
步驟S3：在所述第一間隙壁上形成第二間隙壁，以覆蓋所述第一間隙壁的側壁；
步驟S4：去除所述第一間隙壁，以在所述粘結材料層和所述第二間隙壁之間形成凹槽，防止接合過程中接合材料的溢出；
其中，所述步驟S2包括：
步驟S21：沉積第一間隙壁材料層，以覆蓋所述底部晶圓和所述粘結材料層；
步驟S22：全面蝕刻所述第一間隙壁材料層，以在所述粘結材料層的內外側壁上均形成第一間隙壁。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，在所述底部晶圓上形成有環形的粘結材料層，在所述步驟S4中在所述粘結材料層的周圍形成環形凹槽。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述粘結材料層選用金屬材料。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中選用H2O2去除所述第一間隙壁。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還進一步包括：
步驟S5：提供頂部晶圓并將所述頂部晶圓與所述底部晶圓相接合。
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