[發明專利]影像感測元件的光管結構及其制造方法在審
| 申請號: | 201610007822.1 | 申請日: | 2016-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN106910753A | 公開(公告)日: | 2017-06-30 |
| 發明(設計)人: | 高紫雯;賴郁元;謝謹伃 | 申請(專利權)人: | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像 元件 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種影像感測元件的光管結構,包括:
基底,其中在所述基底中具有光感測區;
介電層,設置于所述基底上,其中在所述介電層中具有光管,且所述光管位于所述光感測區上方;以及
光管材料層,設置于所述光管中,且具有凹陷曲面。
2.如權利要求1所述的影像感測元件的光管結構,其中所述凹陷曲面的曲率半徑為636nm~791nm。
3.如權利要求1所述的影像感測元件的光管結構,其中所述光管材料層的折射率為1.7~1.9。
4.如權利要求1所述的影像感測元件的光管結構,其中所述光管材料層的折射率大于前一個光傳播介質的折射率。
5.如權利要求1所述的影像感測元件的光管結構,還包括保護層,共形地設置于所述介電層上,且部分所述保護層位于所述光管材料層與所述介電層之間。
6.一種影像感測元件的光管結構的制造方法,包括:
提供基底,其中在所述基底中形成有光感測區;
在所述基底上形成介電層;
移除所述光感測區上的部分所述介電層,而在所述介電層中形成光管;以及
在所述光管中形成光管材料層,其中所述光管材料層具有凹陷曲面。
7.如權利要求6所述的影像感測元件的光管結構的制造方法,其中所述光管材料層的形成方法包括:
在所述介電層上形成填滿所述光管的光管材料;以及
使用絨毛研磨墊對所述光管材料進行化學機械研磨制作工藝,以移除所述光管以外的所述光管材料。
8.如權利要求7所述的影像感測元件的光管結構的制造方法,其中所述化學機械研磨制作工藝所使用的研漿包括CeO2、SiO2或其組合。
9.如權利要求7所述的影像感測元件的光管結構的制造方法,其中所述化學機械研磨制作工藝的研磨壓力為2.2psi~3.2psi。
10.如權利要求6所述的影像感測元件的光管結構的制造方法,還包括在形成所述光管之后且在形成所述光管材料層之前,共形地在所述介電層上形成保護層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





