[發明專利]晶圓清洗裝置及其清洗方法

在審

• 申請號: 201610006718.0
• 申請日: 2016-01-06
• 公開（公告）號: CN106944381A
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: 李松
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: B08B1/02
• 分類號: B08B1/02;B08B3/02;H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 上海光華專利事務所31219
• 代理人: 余明偉

1.一種晶圓清洗裝置，用于清洗進行化學機械拋光工藝后的待清洗晶圓表面，其特征在于，所述待清洗晶圓清洗裝置至少包括：第一清洗刷及第二清洗刷；

所述第一清洗刷適于對所述待清洗晶圓進行刷洗；

所述第二清洗刷與所述第一清洗刷平行設置，適于對所述第一清洗刷進行清洗。

2.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述第二清洗刷位于所述第一清洗刷遠離所述待清洗晶圓的最大行程處，所述第一清洗刷運動至距離所述待清洗晶圓的最遠處時，所述第一清洗刷的表面與所述第二清洗刷的表面相接觸。

3.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述第一清洗刷及所述第二清洗刷均包括刷軸及套設于所述刷軸外圍刷筒；所述刷筒的外表面設有凸點結構。

4.根據權利要求3所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述刷軸的長度大于刷筒的長度，所述第一清洗刷刷筒的長度大于待清洗晶圓的直徑，所述第二清洗刷刷筒的長度大于或等于所述第一清洗刷刷筒的長度。

5.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述第一清洗刷的數量為兩個，所述兩個第一清洗刷分別位于所述待清洗晶圓的兩側。

6.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述第二清洗刷的數量為一個，所述第二清洗刷位于靠近所述待清洗晶圓正面的一側。

7.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述晶圓清洗裝置還包括兩條第一噴液管，所述兩條第一噴液管分別設于所述待清洗晶圓正反面斜上方，且每一條所述第一噴液管上設有至少一個第一噴嘴。

8.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述晶圓清洗裝置還包括第二噴液管，所述第二噴液管與所述第二清洗刷相平行，且所述第二噴液管上設有至少一個第二噴嘴。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述晶圓清洗裝置還包括：

清洗槽； 晶圓轉動裝置，位于所述清洗槽中，適于固定并帶動所述待清洗晶圓轉動；驅動裝置，適于驅動所述第一清洗刷、所述第二清洗刷及所述晶圓轉動裝置轉動。

10.一種晶圓清洗裝置的清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：

將待清洗晶圓置于晶圓轉動裝置上；

晶圓轉動裝置帶動所述待清洗晶圓轉動，位于所述待清洗晶圓正反面斜上方的第一噴液管噴灑清洗液或去離子水至所述待清洗晶圓的表面；

第一清洗刷轉動并壓緊所述待清洗晶圓的表面對所述待清洗晶圓的表面進行刷洗；

對所述待清洗晶圓刷洗完成后，所述第一清洗刷離開所述待清洗晶圓表面，并與一第二清洗刷相接觸；

所述第二清洗刷相對于所述第一清洗刷反向旋轉，對所述第一清洗刷進行清洗。

11.根據權利要求10所述的晶圓清洗裝置的清洗方法，其特征在于：所述第二清洗刷對所述第一清洗刷進行清洗的同時，位于所述第二清洗刷下方的第二噴液管噴灑去離子水至所述第二清洗刷的表面以對所述第二清洗刷進行沖洗。