[發明專利]雙極型晶體管及其形成方法

有效

• 申請號: 201610006633.2
• 申請日: 2016-01-06
• 公開（公告）號: CN106952950B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 楊曉蕾;李勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L21/331
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底表面形成有鰭部；

在所述半導體襯底表面形成隔離層，所述隔離層表面低于鰭部頂部表面，且覆蓋鰭部的部分側壁；

在所述半導體襯底和鰭部內形成第二類型摻雜阱；

在所述鰭部內形成第一類型摻雜區；

在所述鰭部內形成第二類型摻雜區，所述第一類型摻雜區和第二類型摻雜區沿鰭部長度方向分布；

在所述第一類型摻雜區的部分表面以及第二類型摻雜區表面形成第二類型重摻雜層；

在所述第一類型摻雜區剩余部分表面形成第一類型重摻雜層。

2.根據權利要求1所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一類型摻雜區的形成方法包括：刻蝕所述鰭部，在所述鰭部內形成第一凹槽；在所述第一凹槽內外延形成第一半導體層，并對所述第一半導體層進行第一類型離子摻雜，形成第一類型摻雜區。

3.根據權利要求2所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，采用原位摻雜工藝對所述第一半導體層進行第一類型離子摻雜。

4.根據權利要求1或2所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一類型摻雜區的摻雜劑量為1E13atom/cm²～5E13atom/cm²。

5.根據權利要求2所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二類型摻雜區的形成方法包括：刻蝕所述鰭部，在所述鰭部內形成第二凹槽；在所述第二凹槽內外延形成第二半導體層，并對所述第二半導體層進行第二類型離子摻雜，形成第二類型摻雜區。

6.根據權利要求5所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，采用原位摻雜工藝對所述第二半導體層進行第二類型離子摻雜。

7.根據權利要求5所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二類型摻雜區的摻雜劑量為1E13atom/cm²～5E13atom/cm²。

8.根據權利要求1所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一類型摻雜區和第二類型摻雜區之間間隔2nm～20nm。

9.根據權利要求1所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二類型重摻雜層的形成方法包括：在所述隔離層和鰭部表面形成第一圖形化掩膜層，所述第一圖形化掩膜層暴露出第一類型摻雜區的部分表面和第二類型摻雜區的表面；以所述第一圖形化掩膜層為掩膜，進行第二類型離子注入，在所述第一類型摻雜區的部分表面、第二類型摻雜區表面形成第二類型重摻雜層；然后去除所述第一圖形化掩膜層。

10.根據權利要求9所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二類型離子注入的注入劑量為1E15 atom/cm²～5E15 atom/cm²。

11.根據權利要求1所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一類型重摻雜層的形成方法包括：在所述隔離層和鰭部表面形成第二圖形化掩膜層，所述第二圖形化掩膜層暴露出第一類型摻雜區未被第二類型離子注入的表面；以所述第二圖形化掩膜層為掩膜，對所述第一類型摻雜區進行第一類型離子注入，在所述第一類型摻雜區的部分表面形成第一類型重摻雜層；然后去除所述第二圖形化掩膜層。

12.根據權利要求11所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一類型離子注入的注入劑量為1E15 atom/cm²～5E15 atom/cm²。

13.根據權利要求5所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一類型摻雜為P型摻雜，第二類型為N型摻雜。