[發(fā)明專利]液晶顯示面板、TFT基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610006482.0
• 申請日: 2016-01-05
• 公開（公告）號: CN105633096B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郝思坤
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 梁愷崢

1.一種TFT基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底層形成第一金屬層；

在所述第一金屬層上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成半導體活性層；

形成第二金屬層，其中，所述第二金屬層包括設(shè)置在所述半導體活性層上的漏極和源極以及設(shè)置在所述第一絕緣層上的第一公共電極層；

在所述第二金屬層上形成第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上形成樹脂層；

在所述樹脂層上形成ITO層，其中，所述ITO層包括第二公共電極層；

其中，所述第一公共電極層和所述第二公共電極層分別與所述TFT基板的透光區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置；

其中，在所述樹脂層上設(shè)置有露出所述第二絕緣層的凹槽，其中，所述凹槽與所述TFT基板的透光區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置；

其中，設(shè)置在所述TFT基板的透光區(qū)域的所述第二公共電極層設(shè)置在所述凹槽上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述ITO層還包括像素電極層，所述像素電極層設(shè)置在所述TFT基板的非透光區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述樹脂層上設(shè)置有露出所述第二金屬層的過孔，其中，所述過孔與所述TFT基板的非透光區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置，所述像素電極層設(shè)置在所述過孔上。

4.一種TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括襯底層、設(shè)置在所述襯底層上的第一金屬層、設(shè)置在所述第一金屬層上的第一絕緣層、設(shè)置在所述第一絕緣層上的半導體活性層、第二金屬層、設(shè)置在所述第二金屬層上的第二絕緣層、設(shè)置在所述第二絕緣層上的樹脂層以及設(shè)置在所述樹脂層上的ITO層，其中，所述第二金屬層包括設(shè)置在所述半導體活性層上的漏極和源極以及設(shè)置在所述第一絕緣層上的第一公共電極層，所述ITO層包括第二公共電極層，所述第一公共電極層和所述第二公共電極層分別與所述TFT基板的透光區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置；

其中，所述樹脂層設(shè)置有露出所述第二絕緣層的凹槽，所述凹槽與所述TFT基板的透光區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置，設(shè)置在所述TFT基板的透光區(qū)域的所述第二公共電極層設(shè)置在所述凹槽上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT基板，其特征在于，所述ITO層還包括像素電極層，所述像素電極層設(shè)置在所述TFT基板的非透光區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT基板，其特征在于，所述樹脂層上設(shè)置有露出所述第二金屬層的過孔，其中，所述過孔與所述TFT基板的非透光區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置，所述像素電極層設(shè)置在所述過孔上。

7.一種液晶顯示面板，其特征在于，所述液晶顯示面板包括如權(quán)利要求4-6任一項所述的TFT基板。