[發明專利]一種減少化學清洗工藝中球形顆粒缺陷的方法

有效

• 申請號: 201610006458.7
• 申請日: 2016-01-04
• 公開（公告）號: CN105632895B
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發明（設計）人: 劉效巖;吳儀;馮曉敏
• 申請（專利權）人: 北京七星華創電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 陶金龍;張磊

1.一種減少化學清洗工藝中球形顆粒缺陷的方法，應用于采用65納米銅互連后道清洗及化學處理設備對硅片進行化學清洗，所述65納米銅互連后道清洗及化學處理設備的化學藥液管路包括工藝自循環管路和非工藝自循環管路，其中，所述工藝自循環管路包括循環連接的藥液罐、工藝腔室，所述非工藝自循環管路在藥液罐、工藝腔室之間通過三通閥與工藝自循環管路形成分離，并連接回藥液罐，其特征在于，方法包括：在新化學藥液更新進入藥液罐后的首次化學清洗工藝之前，先擇一打開工藝自循環管路和非工藝自循環管路，通入經加熱及過濾的新化學藥液分別進行一定時間的循環處理，之后，再向工藝自循環管路通入經循環處理后的新化學藥液，進行化學清洗工藝。

2.根據權利要求1所述的減少化學清洗工藝中球形顆粒缺陷的方法，其特征在于，在進行循環處理時，工藝自循環管路和非工藝自循環管路中新化學藥液的通入流量分別大于其進行化學清洗工藝時的流量。

3.根據權利要求2所述的減少化學清洗工藝中球形顆粒缺陷的方法，其特征在于，在進行循環處理時，工藝自循環管路和非工藝自循環管路中新化學藥液的通入流量為其管路的最大流量。

4.根據權利要求1所述的減少化學清洗工藝中球形顆粒缺陷的方法，其特征在于，依次對非工藝自循環管路、工藝自循環管路進行循環處理。

5.根據權利要求1所述的減少化學清洗工藝中球形顆粒缺陷的方法，其特征在于，對工藝自循環管路和非工藝自循環管路進行一至若干次的循環處理。

6.根據權利要求5所述的減少化學清洗工藝中球形顆粒缺陷的方法，其特征在于，對工藝自循環管路和非工藝自循環管路進行循環處理的總時間不超過3小時。

7.根據權利要求1-6任意一項所述的減少化學清洗工藝中球形顆粒缺陷的方法，其特征在于，對工藝自循環管路或非工藝自循環管路進行一次循環處理的時間不小于20min。

8.根據權利要求7所述的減少化學清洗工藝中球形顆粒缺陷的方法，其特征在于，所述一次循環處理的時間為20-40min。

9.根據權利要求1-6任意一項所述的減少化學清洗工藝中球形顆粒缺陷的方法，其特征在于，工藝自循環管路的一次循環處理時間大于非工藝自循環管路的一次循環處理時間。

10.根據權利要求1所述的減少化學清洗工藝中球形顆粒缺陷的方法，其特征在于，通過65納米銅互連后道清洗及化學處理設備的化學清洗工藝菜單對循環處理進行控制，包括對工藝自循環管路和非工藝自循環管路循環處理的切換及對應時間、次數的設定。