[發明專利]一種半導體器件及其制造方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201610006033.6
• 申請日: 2016-01-06
• 公開（公告）號: CN106952813B
• 公開（公告）日: 2020-02-11
• 發明（設計）人: 李敏
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 11336 北京市磐華律師事務所
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有多個柵極結構，在所述柵極結構的側壁上形成有側墻結構；側墻結構包括位于所述柵極結構兩側的偏移側墻和位于所述偏移側墻外側的主側墻；

在所述半導體襯底上沉積多晶硅層，覆蓋所述柵極結構和所述側墻結構，以實現柵極結構與柵極結構或柵極結構與源漏區的互連；

在所述多晶硅層上沉積犧牲層，以填充所述柵極結構之間的間隙，并在所述犧牲層上沉積硬掩膜層；

在所述硬掩膜層中形成開口，以露出所述犧牲層，并在所述開口的側壁上形成犧牲側墻；

以所述硬掩膜層和所述犧牲側墻為掩膜，依次去除露出的所述犧牲層和所述多晶硅層，以完成內連多晶硅層的制作；

依次去除所述硬掩膜層、所述犧牲側墻和剩余的所述犧牲層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，沉積所述多晶硅層之前，還包括去除位于部分柵極結構側壁上的側墻結構的步驟，所述部分柵極結構通過去除所述側墻結構露出的部分與所述多晶硅層實現互連。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，去除所述側墻結構的步驟包括：在所述半導體襯底上形成圖案化的光刻掩膜；以所述光刻掩膜為掩膜，通過等離子體干法蝕刻去除所述側墻結構；通過灰化或者剝離工藝去除所述光刻掩膜。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，沉積所述硬掩膜層之前，還包括執行化學機械研磨工藝研磨所述犧牲層，直至露出所述多晶硅層的步驟。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述犧牲側墻的步驟包括：沉積側墻材料層以覆蓋所述硬掩膜層的表面和所述開口的側壁及底部；蝕刻所述側墻材料層以形成所述犧牲側墻。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述側墻材料層的厚度為300埃-500埃，所述犧牲側墻的寬度為10nm-30nm，所述開口的寬度尺寸大于60nm。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅層的厚度為200埃-400埃；所述犧牲層為無定形碳層，所述犧牲層的厚度為2000埃-5000埃；所述硬掩膜層的厚度為300埃-500埃。

8.一種采用權利要求1-7之一所述的方法制造的半導體器件。

9.一種電子裝置，所述電子裝置包括權利要求8所述的半導體器件。