[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201610005961.0
• 申請日: 2016-01-04
• 公開（公告）號: CN105448935B
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發明（設計）人: 江鵬;周茂秀;楊海鵬;戴珂;尹傛俊;王章濤
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括多條相互平行的柵線，其特征在于，所述陣列基板還包括位于所述多條柵線所在膜層上的絕緣層，以及位于所述絕緣層上的至少一個第一導電結構，所述絕緣層上設置有對應于所述第一導電結構的至少兩個第一過孔，所述第一導電結構通過所述第一過孔與所述柵線電連接；

所述陣列基板還包括位于所述第一導電結構所在膜層上的鈍化層，以及位于所述鈍化層上的至少一個第二導電結構，所述鈍化層上設置有對應于所述第二導電結構的至少兩個第四過孔，所述第二導電結構通過第四過孔與所述第一導電結構電連接；

在至少一條所述柵線的延伸方向上，多個所述第一導電結構依次設置，所述第二導電結構位于任意相鄰的兩個所述第一導電結構之間，所述第二導電結構通過兩個所述第四過孔分別和與該第二導電結構相鄰的兩個所述第一導電結構電連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導電結構在所述陣列基板上的投影與所述柵線在所述陣列基板上的投影至少部分交疊，所述第一過孔位于所述交疊區域內。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源極和漏極，所述源極和漏極均與所述第一導電結構同層設置，且均與所述第一導電結構不接觸。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括位于所述絕緣層和所述源極和漏極所在膜層之間的有源層和刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層上設置有對應于所述源極的第二過孔和對應于所述漏極的第三過孔，所述源極和所述漏極分別通過所述第二過孔和所述第三過孔與所述有源層電連接。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在每條所述柵線的延伸方向上，多個所述第一導電結構依次間隔設置，所述第二導電結構位于任意相鄰的兩個第一導電結構之間，所述第二導電結構通過所述第四過孔分別和與該第二導電結構相鄰的兩個第一導電結構電連接。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括多條相互平行的數據線，所述柵線和所述數據線圍成多個像素單元，所述第一導電結構設置在所述像素單元內，且所述第一導電結構與所述像素單元一一對應，所述第二導電結構設置在任意相鄰的兩個所述像素單元之間。

7.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導電結構在所述陣列基板上的投影與所述柵線在所述陣列基板上的投影至少部分交疊，所述第四過孔位于所述交疊區域內。

8.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括與所述柵線同層設置的柵極，所述第二導電結構在所述陣列基板上的投影與所述柵極在所述陣列基板上的投影至少部分交疊。

9.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設置在所述鈍化層上的像素電極，所述第二導電結構與所述像素電極同層同材料設置。

10.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線的寬度范圍為2μm-10μm。

11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-10任一項所述的陣列基板。