[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管、其驅動方法、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610005855.2
• 申請日: 2016-01-05
• 公開（公告）號: CN105633136B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發(fā)明（設計）人: 胡合合
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/786
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種薄膜晶體管，包括：設置在襯底基板上的第一柵極，與所述第一柵極絕緣的有源層，以及相對而置且分別與所述有源層電性連接的源極和漏極；其特征在于，還包括：

設置在所述有源層遠離所述第一柵極的一側且與所述有源層絕緣的第二柵極；所述第二柵極包括至少兩條子柵極；

各所述子柵極在所述襯底基板上的正投影與所述薄膜晶體管的溝道區(qū)域在所述襯底基板上的正投影之間具有交疊區(qū)域；

在所述第一柵極未加載開啟信號的各時間段內，至少兩條所述子柵極加載的信號極性相反；

在所述第一柵極未加載開啟信號的相鄰兩個時間段內，同一所述子柵極加載的信號極性相反。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，各所述子柵極的延伸方向與所述源極指向漏極的方向相互交叉。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二柵極包括多條成對排列的子柵極；

在所述第一柵極未加載開啟信號的各時間段內，各所述子柵極加載的信號正負極性交替排列。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，各所述子柵極在所述襯底基板上的正投影與所述薄膜晶體管的溝道區(qū)域在所述襯底基板上的正投影之間的交疊區(qū)域的面積均相同。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，各條所述子柵極沿垂直于所述源極指向漏極的方向的長度均大于或等于所述溝道區(qū)域的寬度。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，各條所述子柵極之間的間距大于或等于1μm。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，各條所述子柵極等間距分布。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的材料為氧化物半導體。

9.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一柵極位于有源層的上方，所述第二柵極位于有源層的下方；或

所述第一柵極位于有源層的下方，所述第二柵極位于有源層的上方。

10.一種如權利要求1-9任一項所述薄膜晶體管的驅動方法，其特征在于，包括：

在第一柵極加載開啟信號的各時間段內，第二柵極中的各子柵極無信號加載；

在所述第一柵極未加載開啟信號的各時間段內，至少兩條所述子柵極加載的信號極性相反；且在所述第一柵極未加載開啟信號的相鄰兩個時間段內，同一所述子柵極加載的信號極性相反。

11.如權利要求10所述的驅動方法，其特征在于，在所述第一柵極未加載開啟信號的各時間段內，至少兩條所述子柵極加載的信號極性相反，包括：

在所述第一柵極未加載開啟信號的各時間段內，各所述子柵極加載的信號正負極性交替排列。

12.一種陣列基板，其特征在于，包括如權利要求1-9任一項所述的薄膜晶體管。

13.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求12所述的陣列基板。