[發明專利]一種低損耗光子晶體光纖的制備方法

有效

• 申請號: 201610005835.5
• 申請日: 2016-01-06
• 公開（公告）號: CN105607182B
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 羅文勇;劉志堅;李偉;杜城;柯一禮;雷瓊;嚴壘
• 申請（專利權）人: 烽火通信科技股份有限公司;銳光信通科技有限公司
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02
• 代理公司: 北京捷誠信通專利事務所(普通合伙) 11221
• 代理人: 王衛東

1.一種低損耗光子晶體光纖的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

制備一根高純芯棒，經外噴、燒結形成中心石英層，高純芯棒進而形成中心芯棒，

將高純芯棒用卡盤夾好，放置在沉積柜中，沉積柜旁有排氣裝置，外有測壓元件，通過噴燈將四氯化硅、氧氣、氫氣、氬氣、氮氣噴出，在氫氧焰燃燒的高溫下，四氯化硅和氫氧焰中的水蒸氣發生化學反應生成二氧化硅粉末，沉積到高純芯棒上；

以所述中心芯棒為靶棒，在其外圍沿圓周方向均勻放置若干第一靶棒，在外噴達到沉積要求后，抽出第一靶棒，插入與玻璃具有較低的粘結力的替代靶棒，然后將沉積的疏松層烘干燒結，再將替代靶棒抽出，經外噴、燒結形成第一石英層，然后依次向外圍設置至最后一層的第N靶棒(N>＝1)，外噴、燒結完畢，其中靶棒的層數與所加工的光纖的石英層的層數相同，各層的靶棒數目與各石英層的孔數相同；

接續尾管，采用氣壓控制拉制成光子晶體光纖。

2.如權利要求1所述的一種低損耗光子晶體光纖的制備方法，其特征在于，所述高純芯棒由二氧化硅組成，或為二氧化硅和二氧化鍺的混合物。

3.如權利要求1所述的一種低損耗光子晶體光纖的制備方法，其特征在于，采用OVD工藝對所述中心芯棒、第一靶棒…第N靶棒進行外噴，所述中心石英層、第一石英層…第N石英層為二氧化硅。

4.權利要求1所述的一種低損耗光子晶體光纖的制備方法，其特征在于，拉制成光纖后在光纖外圍涂覆保護材料。

5.權利要求1所述的一種低損耗光子晶體光纖的制備方法，其特征在于，所加工的光纖的石英層為6孔，包括第一石英層，第一靶棒的數目為6。

6.權利要求1所述的一種低損耗光子晶體光纖的制備方法，其特征在于，所加工的光纖的石英層為9孔，包括第一石英層和第二石英層，第一靶棒和第二靶棒的數目分別為3和6。

7.權利要求1所述的一種低損耗光子晶體光纖的制備方法，其特征在于，所加工的光纖的石英層為12孔，包括第一石英層、第二石英層和第三石英層，第一靶棒、第二靶棒和第三靶棒的數目分別為3、3和6。

8.一種低損耗光子晶體光纖，其特征在于，由上述權利要求1～5所述的一種低損耗光子晶體光纖的制備方法制得。