[發明專利]一種可刷新的非易失性存儲器及其刷新方法在審
| 申請號： | 201610005750.7 | 申請日： | 2016-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN105679360A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發明（設計）人： | 景蔚亮;陳邦明 | 申請（專利權）人： | 上海新儲集成電路有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/406 | 分類號： | G11C11/406;G11C13/02 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 刷新 非易失性存儲器 及其 方法 | ||
1.一種可刷新的非易失性存儲器，其特征在于，所述非易失性 存儲器包括：
存儲陣列，用以存儲數據；
控制器，與所述存儲陣列相連，用以對所述存儲陣列中的數據進 行定期刷新。
2.根據權利要求1所述的可刷新的非易失性存儲器，其特征在 于，所述存儲陣列為新型非易失性存儲陣列或閃存存儲陣列。
3.根據權利要求2所述的可刷新的非易失性存儲器，其特征在 于，所述新型非易失性存儲陣列為相變存儲陣列或磁阻存儲陣列或鐵 電存儲陣列或電阻存儲陣列。
4.根據權利要求2所述的可刷新的非易失性存儲器，其特征在 于，閃存存儲陣列為SLCNAND陣列和/或MLCNAND陣列和/或3DNAND 陣列。
5.根據權利要求1所述的可刷新的非易失性存儲器，其特征在 于，改變所述存儲陣列內的存儲介質的組分來提高所述存儲陣列的可 擦寫次數。
6.一種可刷新的非易失性存儲器的刷新方法，其特征在于，所 述方法包括主動刷新，所述主動刷新的過程包括步驟：
檢測所述非易失性存儲器的狀態；
于所述非易失性存儲器處于空閑狀態時，讀取內部存儲值；
獲取所述內部存儲值中的錯誤數據的位數；
判斷所述錯誤數據的位數是否小于預設的預警值；
若大于，則所述非易失性存儲器進行刷新；
否則，不做任何處理。
7.根據權利要求6所述的可刷新的非易失性存儲器的刷新方法， 其特征在于，所述方法還包括被動刷新，所述被動刷新的包括步驟：
主機讀取所述存儲陣列時獲取所述錯誤數據的位數；
判斷所述錯誤數據的位數是否小于預設的預警值；
若大于，則所述非易失性存儲器進行刷新；
否則，不做任何處理。
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