[發明專利]有機電致發光顯示基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201610004846.1 | 申請日: | 2016-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN105448957B | 公開(公告)日: | 2018-06-05 |
| 發明(設計)人: | 胡春靜;施槐庭 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開口 像素界定層 有機電致發光顯示 基板 顯示裝置 襯底 顯示效果 長度差 寬度差 制作 咖啡 | ||
1.一種有機電致發光顯示基板,包括襯底、設置在所述襯底上的第一像素界定層,所述第一像素界定層具有多個第一開口,其特征在于,所述有機電致發光顯示基板還包括設置在所述第一像素界定層上的第二像素界定層,所述第二像素界定層具有多個第二開口,多個所述第一開口與多個所述第二開口一一對應,所述第二開口的邊緣超過所述第一開口的邊緣,以將所述第一像素界定層的一部分露出,所述第一開口與所述第二開口的長度差大于所述第一開口與所述第二開口的寬度差;
所述第一像素界定層被所述第二開口露出的部分包括:位于所述第一開口的沿其長度方向的兩側的兩個第一露出部和位于所述第一開口的沿其寬度方向的兩側的兩個第二露出部,其中一個所述第一露出部在第一開口長度方向上的尺寸大于任意一個所述第二露出部在第一開口寬度方向的尺寸,另一個所述第一露出部在第一開口長度方向上的尺寸不小于任意一個所述第二露出部在第一開口寬度方向的尺寸。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示基板,其特征在于,兩個所述第二露出部的寬度均在4~5μm之間。
3.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括設置在所述襯底上的多個薄膜晶體管、覆蓋所述薄膜晶體管的鈍化層和設置在所述鈍化層上的電極層,所述薄膜晶體管、所述鈍化層和所述電極層均位于所述第一像素界定層和所述襯底之間,所述電極層包括多個像素電極,每個所述第一開口均對應一個像素電極和一個薄膜晶體管,所述鈍化層上設置有過孔,所述像素電極通過所述過孔與相應的薄膜晶體管的漏極相連,
其中一個所述第一露出部在所述鈍化層上的正投影覆蓋所述過孔。
4.根據權利要求1至3中任意一項所述的有機電致發光顯示基板,其特征在于,制成所述第一像素界定層的材料包括親水材料,制成所述第二像素界定層的材料包括疏水材料。
5.根據權利要求1至3中任意一項所述的有機電致發光顯示基板,其特征在于,所述第二像素界定層的厚度大于所述第一像素界定層的厚度。
6.一種顯示基板的制作方法,其特征在于,包括:
形成第一像素界定材料層;
對所述第一像素界定材料層進行構圖工藝,以形成具有多個第一開口的第一像素界定層;
形成第二像素界定材料層;
對所述第二像素界定材料層進行構圖工藝,以形成具有多個第二開口的第二像素界定層,其中,多個所述第二開口與多個所述第一開口一一對應,所述第二開口的邊緣超過所述第一開口的邊緣,所述第二開口與所述第一開口的長度差大于所述第二開口與所述第一開口的寬度差;所述第一像素界定層被所述第二開口露出的部分包括:位于所述第一開口的沿其長度方向的兩側的兩個第一露出部和位于所述第一開口的沿其寬度方向的兩側的兩個第二露出部,其中一個所述第一露出部在第一開口長度方向上的尺寸大于任意一個所述第二露出部在第一開口寬度方向的尺寸,另一個所述第一露出部在第一開口長度方向上的尺寸不小于任意一個所述第二露出部在第一開口寬度方向的尺寸。
7.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,兩個所述第二露出部的寬度均在4~5μm之間。
8.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述形成第一像素界定材料層的步驟之前還包括:
制作多個薄膜晶體管,所述多個薄膜晶體管與所述多個第一開口一一對應;
形成具有過孔的鈍化層,其中一個所述第一露出部在所述鈍化層上的正投影覆蓋所述過孔。
9.根據權利要求6至8中任意一項所述的制作方法,其特征在于,形成所述第一像素界定材料層的材料包括親水材料;形成所述第二像素界定材料層的材料包括疏水材料。
10.根據權利要求6至8中任意一項所述的制作方法,其特征在于,所述第二像素界定材料層的厚度大于所述第一像素界定材料層的厚度。
11.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1至5中任意一項所述的有機電致發光顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





