[發(fā)明專利]像素補償電路及AMOLED顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610003904.9
• 申請日: 2016-01-04
• 公開（公告）號: CN105448244B
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何小祥;祁小敬
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G09G3/3258
• 分類號: G09G3/3258
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 柴亮,張?zhí)焓?/td>

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種像素補償電路及AMOLED顯示裝置。

背景技術(shù)

平面顯示裝置具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，因而得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有的平面顯示裝置主要包括液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，以下稱為LCD)及有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，以下稱為OLED)顯示裝置。

OLED顯示裝置通過自發(fā)光實現(xiàn)顯示，因而其不需背光源，具有對比度高、厚度小、視角廣、反應(yīng)速度快、可被制成柔性顯示面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)異特性，被視為可以取代LCD的下一代顯示裝置。

OLED按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)矩陣尋址兩類。其中，PMOLED的功耗較高，阻礙了其在大尺寸顯示裝置中的應(yīng)用，所以PMOLED通常用作小尺寸的顯示裝置。而AMOLED因其高發(fā)光效能，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

圖1為現(xiàn)有的AMOLED像素電路的電路圖。在AMOLED顯示裝置的顯示區(qū)域內(nèi)，像素被設(shè)置成包括多行、多列的矩陣狀，每一像素通常采用由兩個薄膜晶體管與一個電容(Capacitor)組成的像素電路進行驅(qū)動，即采用2T1C的驅(qū)動方式。具體地，第一晶體管T1的柵極電性連接?xùn)啪€Scan，源極電性連接數(shù)據(jù)信號線DATA，漏極與第二晶體管T2的柵極及電容C的一端電性連接；第二晶體管T2的源極電性連接高電壓信號端VDD，漏極電性連接有機發(fā)光二級管D的陽極；有機發(fā)光二級管D的陰極電性連接公共接地電極VSS；電容C的一端電性連接第一晶體管T1的漏極，另一端電性連接第二晶體管T2的源極。顯示時，柵線Scan控制第一晶體管T1打開，數(shù)據(jù)信號線DATA的數(shù)據(jù)信號電壓經(jīng)過第一晶體管T1進入到第二晶體管T2的柵極及電容C，然后第一晶體管T1閉合，由于電容C作用，第二晶體管T2的柵極電壓仍可繼續(xù)保持?jǐn)?shù)據(jù)信號電壓，使得第二晶體管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，高電壓信號端VDD與數(shù)據(jù)信號電壓對應(yīng)的驅(qū)動電流通過第二晶體管T2進入有機發(fā)光二級管D，驅(qū)動有機發(fā)光二級管D發(fā)光。

上述AMOLED顯示裝置中，有機發(fā)光二極管D根據(jù)第二晶體管T2在飽和狀態(tài)下產(chǎn)生的電流驅(qū)動；而由于TFT制程上的不均勻性，各像素中第二晶體管T2的臨界電壓不同，以及，由于第二晶體管T2的閾值電壓Vth在有機發(fā)光二極管D發(fā)光過程中會發(fā)生不同程度的漂移，在采用上述2T1C驅(qū)動電路進行驅(qū)動時，各像素的亮度均一性很差，造成顯示不均等不良。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種像素補償電路及AMOLED顯示裝置，其可以避免發(fā)光器件在發(fā)光過程中的亮度發(fā)生變化，提高發(fā)光過程中的亮度均一性。

為實現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種像素補償電路，其包括數(shù)據(jù)信號寫入模塊、高電壓信號寫入模塊、第一基準(zhǔn)電壓生成模塊、第二基準(zhǔn)電壓寫入模塊、驅(qū)動晶體管、電容和發(fā)光器件；所述數(shù)據(jù)信號寫入模塊在發(fā)光器件發(fā)光前與所述電容的第一端連接；所述高電壓信號寫入模塊在發(fā)光器件發(fā)光過程中與所述電容的第一端連接；所述第一基準(zhǔn)電壓生成模塊在發(fā)光器件發(fā)光前與所述電容的第二端和驅(qū)動晶體管的漏極連接；所述驅(qū)動晶體管的柵極與所述電容的第二端連接，漏極與發(fā)光器件的陽極連接；源極在發(fā)光器件發(fā)光前與第二基準(zhǔn)電壓寫入模塊連接，在發(fā)光器件發(fā)光過程中與所述高電壓信號寫入模塊連接；所述發(fā)光器件的陰極與公共接地電極連接。

其中，所述第一基準(zhǔn)電壓生成模塊在發(fā)光器件發(fā)光前還與所述發(fā)光器件的陽極連接。

其中，所述像素補償電路還包括電壓清除模塊，所述電壓清除模塊連接在驅(qū)動晶體管的漏極和發(fā)光器件的陽極之間，其用于向發(fā)光器件的陽極輸入第三基準(zhǔn)電壓。

其中，所述數(shù)據(jù)信號寫入模塊包括數(shù)據(jù)信號線和第一晶體管；所述第一晶體管的控制極與柵線連接，源極與數(shù)據(jù)信號線連接，漏極與所述電容的第一端連接。

其中，所述高電壓信號寫入模塊包括高電壓信號端和第二晶體管、第三晶體管；所述第二晶體管的控制極與發(fā)光信號端連接，源極與高電壓信號端連接，漏極與所述第三晶體管的源極和驅(qū)動晶體管的源極連接；所述第三晶體管的控制極與發(fā)光信號端連接，漏極與所述電容的第一端連接。