[發(fā)明專利]一種氮化鎵基LED外延結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610003586.6
• 申請(qǐng)日: 2016-01-04
• 公開（公告）號(hào): CN105489720A
• 公開（公告）日: 2016-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮雅清
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 馮雅清
• 主分類號(hào): H01L33/06
• 分類號(hào): H01L33/06;H01L33/14;H01L33/30;H01L33/44
• 代理公司: 上海伯瑞杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31227
• 代理人: 唐燕潔

1.一種氮化鎵基LED外延結(jié)構(gòu)，包括在襯底層上依次生長的GaN緩沖層、 uGaN層、n型GaN：Si層、InGaN/GaN多量子阱層、p型AlGaN電子阻 擋層和p型GaN：Mg層，其特征在于，在InGaN/GaN多量子阱層和p型 AlGaN電子阻擋層之間插入一層厚度為5-100nm的低溫p型InAlGaN層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化鎵基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所 述低溫p型InAlGaN層中銦鋁合計(jì)組份含量不超過50％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化鎵基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所 述低溫p型InAlGaN層在氮化鎵基LED外延結(jié)構(gòu)中的摻雜濃度為 10¹⁹-10²¹cm^-3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化鎵基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所 述低溫p型InAlGaN層的生長方法為：

在InGaN/GaN多量子阱層生長結(jié)束后，生長一層厚度為5-100nm的低 溫p型InAlGaN層，生長溫度在600-900℃之間，反應(yīng)腔壓力在10- 200Torr之間，載氣流量為5-40升/分鐘，氨氣流量為100-600摩爾/分 鐘，三甲基鎵流量為80-400微摩爾/分鐘，三甲基銦流量為400-600微摩爾 /分鐘，三甲基鋁流量為20-100微摩爾/分鐘，二茂鎂流量為為0.5-5微摩 爾/分鐘，生長時(shí)間為1-10分鐘。