[發明專利]一種碳化硅器件背面歐姆接觸的制作方法有效
| 申請號： | 201610003058.0 | 申請日： | 2016-01-04 |
| 公開（公告）號： | CN105448673B | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發明（設計）人： | 周正東;李誠瞻;劉可安;劉國友;史晶晶;吳佳;楊程 | 申請（專利權）人： | 株洲南車時代電氣股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/04 | 分類號： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 412001 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 器件 背面 歐姆 接觸 制作方法 | ||
1.一種碳化硅器件背面歐姆接觸的制作方法，其特征在于，包括：
在碳化硅片的正面制作正面碳膜；
將所述碳化硅片的正面與單晶硅片接觸，在所述碳化硅片的背面制作背面碳膜；
對所述碳化硅片進行高溫退火，激活所述碳化硅片中的注入雜質；
去除所述正面碳膜和所述背面碳膜；
去除所述碳化硅片背面的氧化層；
在所述碳化硅片的背面生長背面金屬并進行退火，形成歐姆接觸。
2.根據權利要求1所述的碳化硅器件背面歐姆接觸的制作方法，其特征在于，所述在所述碳化硅片的背面制作背面碳膜為：
在所述碳化硅片的背面利用PECVD方式或濺射方式制作厚度范圍為0.01微米至1微米的背面碳膜。
3.根據權利要求1-2任一項所述的碳化硅器件背面歐姆接觸的制作方法，其特征在于，所述在碳化硅片的正面制作正面碳膜為：
在所述碳化硅片的正面旋涂厚度范圍為1微米至3微米的光敏有機物，并在惰性氣體的氣氛中進行溫度范圍為150℃至1000℃的碳化，形成所述正面碳膜，或者利用PECVD工藝或濺射工藝在所述碳化硅片的正面制作厚度范圍為0.01微米至1微米的正面碳膜。
4.根據權利要求3所述的碳化硅器件背面歐姆接觸的制作方法，其特征在于，所述對所述碳化硅片進行高溫退火為：
將所述碳化硅片升溫至1500℃至2000℃進行高溫退火。
5.根據權利要求4所述的碳化硅器件背面歐姆接觸的制作方法，其特征在于，所述去除所述正面碳膜和所述背面碳膜為：
在溫度范圍為800℃至1000℃的氧氣氛圍中，去除所述正面碳膜和所述背面碳膜，或者在射頻或微波頻率下進行輝光放電形成氧等離子體，去除所述正面碳膜和所述背面碳膜。
6.根據權利要求5所述的碳化硅器件背面歐姆接觸的制作方法，其特征在于，所述去除所述碳化硅片背面的氧化層為：
利用氫氟酸溶液去除所述碳化硅片背面的氧化層。
7.根據權利要求6所述的碳化硅器件背面歐姆接觸的制作方法，其特征在于，所述在所述碳化硅片的背面生長背面金屬為：
利用濺射工藝或蒸發工藝在所述碳化硅片的背面生長厚度范圍為100納米至500納米的金屬鎳。
8.根據權利要求7所述的碳化硅器件背面歐姆接觸的制作方法，其特征在于，所述退火為：
將所述碳化硅片升溫至900℃至1050℃，并保持1分鐘至10分鐘。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
