[發明專利]一種硫化亞錫和硫化銦薄膜太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 201610001487.4
• 申請日: 2016-01-05
• 公開（公告）號: CN105655421A
• 公開（公告）日: 2016-06-08
• 發明（設計）人: 羅云榮;陳慧敏;陳春玲;周如意
• 申請（專利權）人: 湖南師范大學
• 主分類號: H01L31/0296
• 分類號: H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硫化亞錫和硫化銦薄膜太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池的結構從下至上依次為基底、金屬納米線、N型β—硫化銦窗口層、二硫化鉬緩沖層、P型硫化亞錫吸收層、金屬電極。

2.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述基底為玻璃或硅片或有機柔性塑料。

3.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述金屬納米線為銀或銅或鎳或鈷納米線。

4.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述金屬電極為銀或鋁電極。

5.一種如權利要求1所述的薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，取一塊干凈的基底，利用直流電化學沉積法在基底上沉積金屬納米線，然后利用真空蒸發法或超聲噴霧法或磁控濺射法或化學浴法在金屬納米線上沉積N型β—硫化銦，在N型β—硫化銦上利用雙源蒸發法或脈沖電沉積法或化學氣相沉積法沉積二硫化鉬薄膜，在二硫化鉬薄膜上利用超聲噴霧法或真空蒸發法或化學浴沉積法沉積P型硫化亞錫薄膜，最后在硫化亞錫薄膜上絲網印刷金屬電極。