[其他]基板處理腔室

有效

• 申請號: 201590000446.2
• 申請日: 2015-04-17
• 公開（公告）號: CN206516610U
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: J·約德伏斯基;K·格里芬
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/683
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種基板處理腔室，所述處理腔室包括：

基座組件，所述基座組件包括頂表面，所述頂表面用于支撐多個基板并圍繞中心軸旋轉多個基板，所述頂表面具有內周邊緣和外周邊緣；以及

氣體分配組件，所述氣體分配組件在所述基座組件上方，所述氣體分配組件包括多個細長的氣體端口以及至少一個傳感器，所述多個細長的氣體端口用于將氣流引導向所述基座組件，所述至少一個傳感器定位成在測量期間與所述基座組件接觸。

2.根據權利要求1所述的基板處理腔室，其中所述至少一個傳感器定位在所述氣體端口中的一個氣體端口內。

3.根據權利要求1所述的基板處理腔室，其中所述多個細長的氣體端口包括第一反應氣體端口、第二反應氣體端口、凈化氣體端口和至少一個真空端口。

4.根據權利要求3所述的基板處理腔室，其中所述至少一個傳感器定位在凈化氣體端口內。

5.根據權利要求1所述的基板處理腔室，其中所述氣體分配組件進一步包括至少一個孔，所述至少一個孔位于所述氣體分配組件的不暴露于反應氣體的區域中，并且所述至少一個傳感器定位在所述孔內。

6.根據權利要求1所述的基板處理腔室，其中所述至少一個傳感器包括接觸式熱電偶。

7.根據權利要求6所述的基板處理腔室，其中所述接觸式熱電偶從不接觸的位置移動到接觸位置，以便進行測量。

8.根據權利要求7所述的基板處理腔室，其中存在至少兩個傳感器用來測量溫度，至少一個傳感器定位成測量位于所述基座組件的所述內周邊緣附近的溫度，并且至少一個傳感器定位成測量位于所述基座組件的所述外周邊緣附近的溫度。

9.根據權利要求1所述的基板處理腔室，其中所述基座組件的所述頂表面包括用于支撐晶片的邊緣的至少一個凹口。

10.根據權利要求9所述的基板處理腔室，其中所述基座組件的所述頂表面中的所述至少一個凹口的尺寸設定為使得被支撐在所述凹口中的晶片具有與所述基座組件的所述頂表面基本上共面的頂表面。

11.根據權利要求1所述的基板處理腔室，所述處理腔室進一步包括控制器，所述控制器與所述至少一個傳感器通信以分析來自所述傳感器的數據。

12.一種基板處理腔室，所述處理腔室包括：

基座組件，所述基座組件包括頂表面，所述頂表面用于支撐多個基板并圍繞中心軸旋轉多個基板，所述頂表面具有內周邊緣和外周邊緣；

氣體分配組件，所述氣體分配組件在所述基座組件上方，所述氣體分配組件包括多個細長的氣體端口，所述多個細長的氣體端口用于將氣流引導向所述基座組件；以及

接觸式熱電偶，所述接觸式熱電偶定位在所述氣體分配組件的惰性氣體區域內，以便在測量期間接觸所述基座組件。

13.根據權利要求12所述的基板處理腔室，所述處理腔室進一步包括致動器，所述致動器連接至所述接觸式熱電偶以在所述接觸式熱電偶不接觸所述基座組件的不接觸的位置到所述接觸式熱電偶接觸所述基座組件的接觸的位置之間移動所述接觸式熱電偶。

14.根據權利要求12所述的基板處理腔室，其中存在至少兩個接觸式熱電偶用來測量溫度，至少一個接觸式熱電偶定位成測量位于所述基座組件的所述內周邊緣附近的溫度，并且至少一個接觸式熱電偶定位成測量位于所述基座組件的所述外周邊緣附近的溫度。

15.根據權利要求12所述的基板處理腔室，其中所述基座組件的所述頂表面包括至少一個凹口，所述至少一個凹口的尺寸設定為使得被支撐在所述凹口中的晶片具有與所述基座組件的所述頂表面基本上共面的頂表面。