[發(fā)明專利]用透明光致發(fā)光標(biāo)簽標(biāo)記產(chǎn)品的方法和透明光致發(fā)光標(biāo)簽

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580085771.8
• 申請(qǐng)日: 2015-11-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108699672B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: N·和夫伊恩;N·格蘭德尚恩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞士聯(lián)邦理工大學(xué);洛桑（EPFL）
• 主分類號(hào): C23C14/06
• 分類號(hào): C23C14/06;C23C16/30;G04B19/00;B42D25/00
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 麥振聲;黃希貴

1.用光致發(fā)光標(biāo)簽標(biāo)記產(chǎn)品(1)的方法，所述標(biāo)簽包含光致發(fā)光部分(10)，其在正常光條件下是透明的和在UV照明下通過(guò)光致發(fā)光顯現(xiàn)，所述標(biāo)簽進(jìn)一步包含非光致發(fā)光部分(9)，其在正常光條件下以及在UV照明下是透明的，

其中所述方法包括：

在所述產(chǎn)品上置放層疊體，所述層疊體包含厚度小于1微米的包括AlN的第一材料和厚度小于10nm的包括GaN的第二材料的連續(xù)交替層(3，4)，在兩種材料之間的界面處產(chǎn)生量子納米結(jié)構(gòu)，

摻入離子或者置放透明材料(6)至所述非光致發(fā)光部分。

2.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述層疊體包含小于或等于100個(gè)層(3，4)。

3.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述層(3，4)通過(guò)濺射、原子層沉積、分子束外延或者金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積中的一種方法生長(zhǎng)。

4.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二材料的層(3)包含具有小于50％的銦、鋁、砷和/或磷的GaN合金。

5.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二材料的層(3)包含具有小于或等于10％的含量的稀土元素的存在。

6.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述量子納米結(jié)構(gòu)在所述第二材料的層(3)中產(chǎn)生并包含量子點(diǎn)。

7.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一材料的層(4)包含小于20％的鎂、硅、鋰、鈹、鎘和/或鋅作為摻雜元素。

8.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述離子通過(guò)擴(kuò)散或者注入技術(shù)摻入層疊體內(nèi)。

9.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述透明材料(6)替換選擇性除去的光致發(fā)光部分(5)來(lái)置放。

10.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述方法對(duì)于每個(gè)產(chǎn)品使用單次掩模以產(chǎn)生獨(dú)特圖案。

11.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述UV照明包含小于或等于400nm的UV波長(zhǎng)。

12.產(chǎn)品(1)，其包含光致發(fā)光圖案(11)，其中所述圖案包含

光致發(fā)光部分(10)，其在正常光條件下是透明的和在UV照明下通過(guò)光致發(fā)光顯現(xiàn)，所述光致發(fā)光部分(10)包含交替的具有厚度小于或等于1微米的包括AlN的第一材料的層(4)和厚度小于或等于10nm的包括GaN的第二材料的層(3)的層疊體，在兩種材料之間的界面處包括量子納米結(jié)構(gòu)；

非光致發(fā)光部分(9)，其在正常光條件下以及在UV照明下是透明的，所述非光致發(fā)光部分包含另外的透明材料(6)或者離子以提高透明度。

13.權(quán)利要求12所述的產(chǎn)品，其中所述離子包括氧、氮、氫、氦、氖、氬、鎂、鋰、鈹、硼、磷、鋁、鋅、砷、鎵、硅、鎘。

14.權(quán)利要求12所述的產(chǎn)品，其中所述透明材料(6)具有等于所述層疊體的折射率的折射率。

15.權(quán)利要求12所述的產(chǎn)品，其中所述產(chǎn)品(1)是透明的。

16.權(quán)利要求12所述的產(chǎn)品，其中所述離子包括能夠降解光致發(fā)光層疊體和在層疊體中產(chǎn)生非輻射重組中心缺陷的任何種類的元素。