[發明專利]具有富鍺溝道區的降低泄漏的晶體管

有效

• 申請號: 201580085500.2
• 申請日: 2015-12-24
• 公開（公告）號: CN108541342B
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: G.A.格拉斯;K.賈姆布納坦;A.S.墨菲;C.S.莫哈帕特拉;S.金;姜俊成
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周學斌;申屠偉進

1.一種集成電路晶體管器件，其包括：

襯底；

從襯底延伸的半導體鰭，該鰭包括：

溝道層，其包括溝道區、源極區和漏極區；以及

包括腔的子鰭絕緣層，該腔設置在溝道層和底層襯底之間，其中該腔由襯有電介質材料的壁來限定；以及

接近該鰭的不活動鰭，該不活動鰭包括：

從襯底延伸的不活動溝道層；以及

在不活動溝道層下面的子鰭區，該子鰭區具有與襯底相同的成分。

2.根據權利要求1所述的集成電路晶體管器件，其中設置在溝道層和底層襯底之間的腔進一步延伸以使得它還在襯底與鰭的源極區和漏極區中的一個的至少一部分或這二者的至少一部分之間。

3.根據權利要求1所述的集成電路晶體管器件，進一步包括：

在溝道區上的柵極電介質材料；以及

在柵極電介質材料上的柵極電極材料。

4.根據權利要求3所述的集成電路晶體管器件，其中形成該腔的襯里的電介質材料與該柵極電介質材料相同。

5.根據權利要求4所述的集成電路晶體管器件，其中襯有該柵極電介質材料的腔進一步至少部分填充有該柵極電極材料。

6.根據權利要求1所述的集成電路晶體管器件，進一步包括：

在溝道區上的柵極電介質材料；以及

在柵極電介質材料上的柵極電極材料，其中形成該腔的襯里的電介質材料是與該柵極電介質材料不同的材料。

7.根據權利要求1所述的集成電路晶體管器件，其中該子鰭絕緣層具有與鰭的寬度相對應的寬度。

8.根據權利要求1所述的集成電路晶體管器件，其中形成該腔的壁的襯里的電介質材料進一步限定具有平行于鰭的長度的長度的細長空隙。

9.根據權利要求1所述的集成電路晶體管器件，其中該腔包括氣隙。

10.根據權利要求1所述的集成電路晶體管器件，其中該腔至少部分填充有與形成該腔的壁的襯里的電介質材料不同的另一材料。

11.根據權利要求1所述的集成電路晶體管器件，其中該腔的壁完全涂覆有形成該腔的壁的襯里的電介質材料，以使得該腔壁的所有部分都被涂覆有該電介質材料。

12.一種包括權利要求1-11中的任一項的集成電路晶體管器件的計算系統。

13.一種半導體器件，包括：

襯底；

從襯底延伸的多個活動鰭，該活動鰭中的每一個都包括：

溝道層，其包括溝道區、源極區和漏極區；以及

包括腔的子鰭絕緣層，該腔設置在溝道層與底層襯底之間，以及襯底與源極區和漏極區中的每一個的至少一部分之間，其中該腔由襯有電介質材料的壁來限定；

從襯底延伸的多個不活動鰭，該不活動鰭中的每一個都包括：

從襯底延伸的不活動溝道層；以及

在不活動溝道層下面的子鰭區，該子鰭區具有與襯底相同的成分。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，進一步包括：

在溝道區上的柵極電介質材料；以及

在柵極電介質材料上的柵極電極材料。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，其中形成該腔的襯里的電介質材料與該柵極電介質材料相同。

16.根據權利要求15所述的半導體器件，其中襯有該柵極電介質材料的腔進一步至少部分填充有該柵極電極材料。

17.根據權利要求13所述的半導體器件，其中該子鰭絕緣層具有與鰭的整個長度相對應的長度。