[發明專利]雙反饋放大器限幅器

有效

• 申請號: 201580085356.2
• 申請日: 2015-12-17
• 公開（公告）號: CN108781058B
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發明（設計）人: 溫振強;吳德揚;黃源維;汪悄恬
• 申請（專利權）人: 摩托羅拉解決方案公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F1/14;H03F1/22;H03F3/19
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 戚傳江;穆德駿

1.一種用于提供經制約的射頻信號的雙反饋放大器限幅器，包括：

輸入端，所述輸入端接收射頻信號；

堆疊式放大器，所述堆疊式放大器包括被耦合到所述輸入端的輸入節點、輸出節點、被配置為共基極放大器的第一晶體管、以及被配置為共發射極放大器的第二晶體管；

輸出端，所述輸出端被耦合到所述堆疊式放大器的所述輸出節點，所述輸出端從所述堆疊式放大器提供所述經制約的射頻信號；

射頻反饋電路，所述射頻反饋電路被耦合到所述堆疊式放大器，所述射頻反饋電路包括與射頻反饋電路電阻器串聯的無源射頻相關無功元件；以及

包絡控制反饋電路，所述包絡控制反饋電路被耦合到所述堆疊式放大器，并且包括電流鏡和耦合到所述電流鏡和所述輸入節點的無功元件環路濾波器。

2.如權利要求1所述的雙反饋放大器限幅器，其中，

所述第一晶體管的基極通過非電容性電路路徑被耦合到地。

3.如權利要求2所述的雙反饋放大器限幅器，其中，

所述非電容性電路路徑包括從由電阻器和電感器組成的組中選擇的至少一種。

4.如權利要求1所述的雙反饋放大器限幅器，其中，

所述射頻反饋電路被耦合到所述第一晶體管的集電極和所述第二晶體管的基極。

5.如權利要求1所述的雙反饋放大器限幅器，其中，

所述射頻反饋電路被耦合到所述第一晶體管的發射極和所述第二晶體管的基極。

6.如權利要求1所述的雙反饋放大器限幅器，其中，所述包絡控制反饋電路：

被耦合到所述第二晶體管的基極；并且

通過偏置電阻器被耦合到所述第一晶體管的集電極。

7.如權利要求1所述的雙反饋放大器限幅器，其中，

所述第二晶體管的基極被耦合到所述輸入節點，并且接收偏置的射頻信號；

所述第二晶體管的集電極被耦合到所述第一晶體管的發射極；以及

所述第一晶體管的集電極被耦合到所述輸出節點，并且將所述經制約的射頻信號提供到所述輸出端。

8.如權利要求7所述的雙反饋放大器限幅器，其中，

所述第二晶體管的所述集電極通過從由電阻器和電感器組成的組中選擇的至少一種來被耦合到所述第一晶體管的所述發射極。

9.如權利要求1所述的雙反饋放大器限幅器，其中，

所述射頻信號在被提供到所述輸入節點之前經過第一射頻匹配網絡。

10.如權利要求9所述的雙反饋放大器限幅器，其中，

在所述輸出節點和所述輸出端之間提供第二射頻匹配網絡。

11.如權利要求1所述的雙反饋放大器限幅器，其中，

所述包絡控制反饋電路包括偏置電阻器，所述偏置電阻器用作包絡控制反饋電路輸入端并且控制可用于所述共發射極放大器的基極的偏置。

12.如權利要求1所述的雙反饋放大器限幅器，其中，

所述無源射頻相關無功元件是電容器。

13.如權利要求1所述的雙反饋放大器限幅器，其中，

所述射頻反饋電路和所述包絡控制反饋電路控制到所述共發射極放大器的基極的電流，使得當所述射頻信號的強度高于預定閾值時，壓縮所述射頻信號。