[發(fā)明專(zhuān)利]光接收器、光終端裝置和光通信系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580085331.2 | 申請(qǐng)日: | 2015-12-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108370238B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 三田大介 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H03F1/32 | 分類(lèi)號(hào): | H03F1/32;H03F3/345 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 鄧毅;馬建軍 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 接收器 終端 裝置 光通信 系統(tǒng) | ||
光接收器具有:受光元件(1),其將所輸入的光信號(hào)A轉(zhuǎn)換成電流信號(hào)B并輸出;反相器型TIA(2),其使用第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管將電流信號(hào)B轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)C并輸出;電流監(jiān)視部(3),其監(jiān)視電流信號(hào)B的電流量,輸出具有基于電流信號(hào)B的電流量的電流量的電流信號(hào)D;以及背柵調(diào)整部(4),其根據(jù)電流信號(hào)D和電壓信號(hào)C判別反相器型TIA(2)的輸入輸出特性的狀態(tài),根據(jù)判別結(jié)果對(duì)第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的一個(gè)或兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵端子電壓進(jìn)行控制。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及具有將從受光元件輸入的電流信號(hào)轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)的跨阻放大器的光接收器、光終端裝置和光通信系統(tǒng)。
背景技術(shù)
近年來(lái),由于智能設(shè)備的迅速普及帶來(lái)的移動(dòng)寬帶服務(wù)的擴(kuò)大以及社會(huì)網(wǎng)絡(luò)服務(wù)、云計(jì)算、動(dòng)態(tài)圖像發(fā)布等互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)的進(jìn)一步普及,通信吞吐量呈直線地急劇增加。根據(jù)這種背景,支持各服務(wù)的數(shù)據(jù)中心的重要性提高。并且,不僅要求數(shù)據(jù)中心與建筑物之間的通信的大容量化,而且要求數(shù)據(jù)中心之間的通信的大容量化,正在進(jìn)行與光通信的大容量化有關(guān)的研究。
在數(shù)據(jù)中心中,隨著通信的大容量化,還存在低耗電化的課題。在數(shù)據(jù)中心中,伴隨通信吞吐量的增大,服務(wù)器等ICT(Information and Communication Technology:信息和通信技術(shù))設(shè)備增加,以各ICT設(shè)備為發(fā)熱源而產(chǎn)生大量的熱,因此,用于對(duì)內(nèi)部進(jìn)行制冷的空調(diào)設(shè)備消耗大量電力。因此,ICT設(shè)備、用于進(jìn)行通信的光收發(fā)器、構(gòu)成光收發(fā)器的IC(Integrated Circuit:集成電路)自身也要求低耗電化。
這種通信的大容量化和低耗電化的趨勢(shì)還涉及服務(wù)器間通信和CPU(CentralProcessing Unit:中央處理單元)間通信。導(dǎo)入服務(wù)器虛擬化技術(shù),要求服務(wù)器間通信和CPU間通信的大容量化。但是,在電布線中,伴隨通信速度的上升,布線長(zhǎng)度的限制和基于電力效率的耗電增大成為課題。為了解決電布線的課題,正在研究光布線的技術(shù),不僅在服務(wù)器間通信,而且在主板內(nèi)部的CPU等的IC間通信中也導(dǎo)入光布線的動(dòng)向不斷提高。根據(jù)這種背景,正在進(jìn)行在光布線中使用TIA(Trans-Impedance Amplifier:跨阻放大器)的研究。并且,正在研討TIA的低消耗電流化。
在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)有如下技術(shù):關(guān)于TIA,通過(guò)使用由MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor:金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)構(gòu)成的數(shù)字電路來(lái)實(shí)現(xiàn)低耗電化。但是,專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的TIA在低耗電化方面是有效的,但是,存在輸入的光信號(hào)的受光電平與輸出電壓電平不是一對(duì)一的關(guān)系即無(wú)法確保線性這樣的課題。
在非專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)有在反相器型TIA中改善線性的技術(shù)。非專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的TIA與專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的TIA相比耗電增大,但是,與模擬型TIA電路相比能夠?qū)崿F(xiàn)低耗電化,并且,與專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的TIA相比容易確保線性。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2013-157731號(hào)公報(bào)
非專(zhuān)利文獻(xiàn)
非專(zhuān)利文獻(xiàn)1:Y.Wang、et.al.“A3-mW 25-Gb/s CMOS Transimpedance Amplifierwith Fully Integrated Low-Dropout Regulator for 100GbE Systems”2014IEEE RadioFrequency Integrated Circuits Symposium、pp.275-278、1-3June.2014.
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
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H03F 放大器
H03F1-00 只用電子管,只用半導(dǎo)體器件或只用未特別指明的器件作為放大元件的放大器的零部件
H03F1-02 .為提高效率對(duì)放大器的改進(jìn),例如滑動(dòng)甲類(lèi)放大級(jí),采用輔助振蕩
H03F1-08 .為減少放大元件內(nèi)阻的有害影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-26 .為減少由放大元件產(chǎn)生的噪聲影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-30 .為減少溫度變化或電源電壓變化的影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-32 .為減少非線性失真對(duì)放大器的改進(jìn)
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