[發明專利]垂直嵌入的無源組件

在審

• 申請號: 201580084901.6
• 申請日: 2015-12-26
• 公開（公告）號: CN108292641A
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: W.J.蘭伯特;M.K.羅伊;M.J.馬努沙羅
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李嘯;張金金

1. 一種裝置，包括：

半導體管芯;以及

與所述半導體管芯耦合的封裝，所述封裝包括與所述半導體管芯連接的一個或多個無源組件，所述一個或多個無源組件垂直嵌入所述封裝襯底中，所述無源組件中的每個包括第一端子和第二端子;

其中第一無源組件嵌入在所述封裝中鉆孔的通孔中，所述第一無源組件的所述第一端子借助通過所述封裝上的上堆積層的過孔連接至所述半導體管芯。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述通孔是非電鍍的。

3.根據權利要求2所述的裝置，其中所述第一無源組件的所述第二端子使用第二通孔連接，所述第二通孔被電鍍并連接到所述第一無源組件的所述第二端子。

4.根據權利要求2所述的裝置，其中所述第一無源組件的所述第二端子借助通過所述封裝上的下堆積層的過孔連接，所述下堆積層在所述封裝的與所述上堆積層相對的側上。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中所述通孔被電鍍。

6.根據權利要求5所述的裝置，其中所述第一無源組件的所述第二端子通過所述電鍍通孔的電鍍層而連接。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中使用機械鉆來鉆孔所述通孔。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中所述半導體管芯包括中央處理單元（CPU）。

9.一種用于制造裝置的方法，包括：

制造封裝;

在所述封裝上鉆孔通孔;

將二端子無源組件嵌入所述鉆孔的通孔中;

在所述封裝的第一側和第二側上形成金屬層;

將所述無源組件的第一端子連接到通過所述封裝的所述第一側上的所述金屬層的過孔;

將所述無源組件的第二端子連接到返回路徑;以及

將半導體管芯與所述封裝的所述第一側耦合。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述通孔是非電鍍的。

11.根據權利要求10所述的方法，還包括在所述封裝中鉆孔第二通孔并且電鍍所述第二通孔，其中將所述第二端子連接到返回路徑包括將所述第二端子連接到所述第二通孔。

12.根據權利要求10所述的方法，還包括通過所述封裝的所述第二側上的所述金屬層形成過孔，其中將所述第二端子連接到返回路徑包括將所述第二端子連接到通過所述封裝的所述第二側上的所述金屬層的所述過孔。

13.根據權利要求9所述的方法，還包括電鍍所述通孔。

14.根據權利要求13所述的方法，其中將所述第二端子連接到返回路徑包括將所述第二端子連接到所述通孔的電鍍層。

15.根據權利要求9所述的方法，其中鉆孔所述通孔包括用機械鉆進行鉆孔。

16.一種系統，包括：

中央處理單元（CPU）管芯;

集成電壓調節器（IVR）;以及

與所述CPU管芯耦合的封裝，所述封裝包括一個或多個無源組件，所述無源組件包括與所述IVR連接的第一電感器，所述一個或多個無源組件垂直嵌入所述封裝襯底中，所述無源組件中的每個包括第一端子和第二端子;

其中所述第一電感器嵌入在所述封裝中鉆孔的通孔中，所述第一電感器的端子借助通過所述封裝上的上堆積層或下堆積層的過孔連接到所述IVR。

17.根據權利要求16所述的系統，其中所述通孔是非電鍍的。